文件名称:
Si纳米晶体存储器件中循环诱导的峰状界面状态生成
开发工具:
文件大小: 344kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：在硅纳米晶体（Si-NC）存储器中观察到界面陷阱产生的峰状行为Fowler–Nordheim程序/擦除循环。 除了从Pb 0中心在0.3和0.85 eV处的两个峰外，在Pb 1中心还观察到并建议了两个额外的峰（0.45和0.7 eV）。 相反，在没有Si-NC的参考设备中仅观察到Pb 0中心。 该结果将有助于理解Si-NC对接口可靠性的影响。
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