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一种用于测量存储电容器结构中编程/擦除速度的简单而准确的方法
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文件大小: 412kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：由于具有Craft.io简单，制造周期短的优点，电容器结构提供了方便。 评估电荷陷阱存储设备的存储特性的方法。 但是，在电容器通常会低估编程/擦除速度。 在本文中，提出了在存储电容器周围进行照明以增强少数载流子的产生，从而可以实现对编程/擦除速度的精确测量。 从反相电容对频率的依赖性，提取时间常数以定量表征反相层的形成。 实验结果表明，在足够高的照度下，该时间常数会大大降低，并且测得的少数载流子相关的编程/擦除速度与晶体管结构中的报告值一致。
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