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源漏损耗对65nm节点NOR闪存耐久性的影响
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文件大小: 911kb
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：在65纳米节点浮栅NOR闪存的12英寸晶圆上，电荷泵测量表明与边缘模具（A型）相比，中央模具（B型）上的器件对源（S）的损坏更严重和漏极（D）区域。 在B型设备中，更严重的损坏是由于在S /通道中生成了接口陷阱重叠区域以及在S和D结区域中的体陷阱的生成。 在A型设备中，损坏要小得多。 在S /通道重叠区域中观察到了界面陷阱的产生。 但是，在D侧几乎无法测量。 在通道热电子程序和Fowler-Nordheim擦除下，已经在这两种设备中测量了耐久性能。 在B型设备中，在编程/擦除循环之后，内存窗口关闭更为严重，并且结电流的产生也大大降低了结泄漏。 在S和D区域有很多散装陷阱。 建议将新设备中的损坏归因于等离子刻蚀Craft.io。
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