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分子束外延生长的InAs / GaSb II型超晶格的界面层控制和优化
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：我们在论文中报道了InAs / GaSb超晶格结构的分子束外延生长过程中InSb界面性能的优化和控制。 首先制备了具有相同结构但生长方法不同，常规分子束外延（MBE）和迁移增强外延（MEE）的用于界面层的样品，并比较了它们的结构，形态和光学性质。 MEE样品在InSb界面层中具有显着更高的As组成和更高的发光效率。 然后制备具有不同InSb界面层厚度的样品。 通过改变界面层的厚度，可以有效地调整晶格失配和光致发光峰值波长。 尽管生长样品的X射线衍射卫星峰线宽和表面粗糙度变化不大，但负晶格失配最小的样品显示出最高的发光效率。 最终，PIN超晶格检测器结构在受控界面的作用下生长。 吸收层的一阶X射线衍射卫星峰的半峰全宽（FWHM）只有19英寸。 检测器结构在77 K时的截止波长为6.3μm。在-50 mV偏置下的暗电流密度为4.3 x 10 A / cm（2），峰值检测率为4.2 x 10（11）cm Hz（1 / 2）/瓦。
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