文件名称:
具有高k介电柱的超低比导通电阻超结垂直DMOS
开发工具:
文件大小: 649kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：提出了一种超结（SJ）VDMOS，其沟槽栅极下方具有高k（HK）介电柱，并通过仿真进行了研究。 HK电介质导致n柱的自适应辅助耗尽。 这不仅增加了n柱掺杂浓度，从而降低了比导通电阻（Ron，sp），而且减轻了SJ器件中的电荷不平衡问题。 在高电压阻挡状态下，HK电介质削弱了横向场并增强了垂直场强度，从而提高了击穿电压（BV）。 通过沟槽侧壁的离子注入形成了狭窄且高度掺杂的n柱，以进一步降低Ron，sp。 与传统的SJ VDMOS相比，R on，sp降低了42％，BV增加了15％。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
