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通过时间分辨光致发光研究具有不同势垒的InGaN多量子阱中的载流子寿命
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：通过时间分辨光致发光（TRPL）研究了具有不同势垒的InGaN多量子阱（MQW）的发射寿命与载流子寿命的关系。 对于高能光子，观察到了两个指数的衰减过程。 这可以通过InGaN量子阱中的两种载流子定位中心（LC），浅定位中心（SLC）和深定位中心（DLC）来解释。 量子阱的辐射复合效率（RRE）主要取决于DLC中的载流子动力学。 与常规InGaN / GaN MQW相比，具有60nm In 0.01 Ga 0.99 N的第一势垒的MQW具有更小，更密集的DLC，因此具有更高的RRE;对于具有In 0.02 Ga的所有势垒的MQW 0.98 N，DLC的平均面积和总面积都变大。 它可以维持类似的RRE，但在DLC中的载波寿命要短得多，只有几十ns。 认为LC的状态在很大程度上取决于MQW中的应变。
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