文件名称:
带有特殊设计的n-AlGaN空穴阻挡层的蓝色InGaN发光二极管的性能改进
开发工具:
文件大小: 425kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：对具有常规电子阻挡层（EBL），常见的n-AlGaN空穴阻挡层（HBL）和具有逐渐Al组成的n-AlGaN HBL的蓝色InGaN发光二极管（LED）进行了数值研究，其中涉及分析有源区中的载流子浓度，能带图，静电场和内部量子效率（IQE）。 结果表明，与具有传统的p-AlGaN EBL或普通的n-AlGaN HBL的LED相比，具有渐变Al组成的n-AlGaN HBL的LED在有源区表现出更好的空穴注入效率，更低的电子泄漏和更小的静电场。 。 同时，当使用具有渐变的Al组成的n-AlGaN HBL时，效率下降得以缓解。
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