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共线双脉冲激光诱导击穿光谱中参数对硅等离子体发射的影响
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文件大小: 541kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：通过使用一对在1064 nm处发射的纳秒Nd：YAG激光源，在Si晶体上进行共线双脉冲激光诱导击穿光谱。 选定的Si原子和离子线的光谱强度和信噪比用于评估光发射。 记录光发射强度，同时改变两个脉冲激光器的脉冲间延迟时间和能量比。 还研究了数据采集延迟时间对线强度和信噪比的影响。 根据结果，找到了共线双脉冲激光方法产生Si等离子体的最佳脉冲间延迟时间，两个脉冲激光的能量比以及实现最大原子线和离子线强度的数据采集延迟时间。 还讨论了观察到的线强度变化的主要机制。 另外，推导了在不同的栅极延迟时间和不同的脉冲间延迟时间下的等离子体温度和电子数密度。 在较短的脉冲延迟时间内观察到等离子体屏蔽对电子温度和电子数密度的显着影响。
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