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在800 K至910 K的温度范围内，表面氧化对1.5μm波长的铝3A21的光谱法向发射率的影响
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：这项研究探索了光谱发射率对铝3A21氧化表面在800 K-910 K温度下的依赖性。 在我们的实验中， InGaAs光电二极管检测器接收到来自样品的红外辐射，该检测器在1.5μm的波长下工作，带宽约为20 nm。 样品表面的温度通过求平均值来确定 这 二 R型 铂铑 热电偶 哪个 紧紧地 焊接在样品表面上。 在温度范围内首次测量之前报告光谱发射率 从 800 K至910 K. 光谱发射率随加热时间的变化在 一种 给定 温度。 这 变化 的 光谱 发射率 和 这 温度 是 讨论过的 在 一种 给定加热时间。 这 振荡 的 光谱 发射率 已经 观测到的， 肯定是 连接的 和 的厚度 氧化 层 在 这 样品 表面， 和 形成的 经过 这 之间的干扰效应 这 辐射 未来 从 这 氧化 层 和 这 辐射 词干 从基材上。 影响 的 表面 氧化对光谱发射率的影响 评估了铝3A21的硬度，并与SPHC钢进行了比较。 Al3A21的光谱发射率与温度关系的解析表达式。 是 衍生的
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