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ZnO基金属-绝缘体-半导体结构器件中的电泵浦随机激射：ZnO膜厚的影响
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：在我们以前的报告中[Ma et al。，Appl。 物理来吧91，251109（2007）]，已经通过基于硅衬底上的ZnO膜的金属-绝缘体-半导体（MIS）结构实现了多晶ZnO膜的电泵浦随机激射（RL）。 在本文中，我们研究了ZnO膜厚度对基于ZnO的MIS结构的器件的阈值电流和RL的输出功率的影响。 发现RL阈值电流随ZnO膜厚度的增加而增加。 此外，在小注入电流下，RL的输出功率随ZnO膜厚度的增加而减小，而在大注入电流下，其输出功率随ZnO膜厚度的增加而增大。 已经根据RL的两个成分，即多重光散射和光学增益，对上述结果的基础机制进行了探索。
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