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具有纳米厚度的MoO3中间层的ZnO基发光器件的启动电压低于3 V的电泵浦随机激射
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文件大小: 2mb
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：先前我们已经报道过具有以Au / SiO2 / ZnO形式存在的具有金属绝缘体半导体（MIS）结构的ZnO基发光器件的起始电压至少为3.3 V的电泵浦随机激射（RL）。 在此，通过在上述MIS结构的器件中的SiO 2和ZnO膜之间插入类似于5nm厚的MoO 3层，RL起始电压减小到仅类似于2.6V，此外，输出光功率倍增。 这种提高的RL性能归因于通过MoO3中间层增强了向ZnO中的空穴注入，该中间层的特征在于低导电带，因此具有较大的功函。
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