文件名称:
具有未掺杂的InGaN上波导层的InGaN基激光二极管的特性改善
开发工具:
文件大小: 512kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：在常规的基于InGaN的激光二极管的结构中，在p掺杂的区域中，特别是在p掺杂的上波导层中，存在相当大的光吸收损耗。 设计并优化了具有未掺杂InGaN上波导层而不是p掺杂GaN的InGaN基激光二极管的结构。 未掺杂的InGaN层位于AlGaN电子阻挡层和多量子阱的有源区之间，而不是位于AlGaN EBL和AlGaN覆盖层之间。 利用商用软件LASTIP对这种类型的激光二极管的光电特性进行了模拟，发现其光吸收损耗明显降低。 进一步的理论分析表明，未掺杂的InGaN上波导层消除了电子泄漏电流的影响，从而导致阈值电流密度的降低和InGaN基激光二极管的输出光功率的增加。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
