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O2高温退火对MANOS结构的Al2O 3阻挡层和Al2O3 / Si3N 4界面的影响
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：在本文中，我们研究了O2沉积后退火（PDA）对金属/ Al2O3 / Si 3N4 / SiO2 / Si（MANOS）器件的影响。 与低能等离子体氧预处理和N2 PDACraft.io相比，O2 PDACraft.io可以显着提高保留率。 改善归因于Al 2O3块状氧化物中氧空位的去除和Si3N4 / Al2O3界面层中的氧结合，这是通过X射线光电子能谱（XPS）深度分布和电学特性确定的。 还对金属/ Al2O3 / SiO2 / Si（MAOS）器件进行了研究，以确认这些效果。 因此，我们认为O2 PDACraft.io对于未来的MANOS型存储设备而言是至关重要的Craft.io。
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