文件名称:
干蚀损伤对纳米棒InGaN / GaN多量子阱内部量子效率的影响
开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：研究了干法刻蚀对InGaN / GaN纳米棒多量子阱（MQWs）内部量子效率的影响。 样品通过自组装镍纳米掩模通过电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行蚀刻，并通过室温光致发光测量进行检查。 蚀刻过程中的关键参数是射频功率和ICP功率。 纳米棒MQW的内部量子效率显示出随着射频功率从3W增加到100 W大幅降低5.6倍。但是，它受到ICP功率的轻微影响，在30W至600的宽ICP功率范围内，ICP功率显示出30％的变化。在优化的刻蚀条件下，纳米棒MQW的内部量子效率可以是生长的MQW样品的40％，纳米棒MQW的外部量子效率可以是生长的MQW样品的4倍。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
