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具有高电压和高电流增益的新型4H-SiC横向双极结型晶体管结构
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文件大小: 643kb
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：本文提出了一种新型的4H-SiC横向双极结型晶体管（LBJT）的结构，该晶体管在漂移区内具有基极场板和双RESURF。 基极区的集电极-基极结耗尽区扩展受到基极场板的限制。 因此，在雪崩击穿的条件下，可以实现LBJT的薄基极掺杂和低基极掺杂。 仿真结果表明，获得了0.32μm的薄基极和3 x 10（17）cm（-3）的基极掺杂，并且当漂移区长度为3309 V时，雪崩击穿电压为3309 V，对应的电流增益高达247。 30亩此外，对击穿电压（3357 V）可比的4H-SiC垂直BJT（VBJT）进行的研究表明，最小基极宽度0.25μm和高达8 x 10（17）cm（-3）的基极掺杂有助于最大电流增益仅为128。
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