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具有平面和沟槽栅极集成的低导通电阻三重RESURF SOI LDMOS
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文件大小: 299kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：提出了一种低导通电阻（Ron，sp）的可积硅绝缘体（SOI）n沟道横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），并通过仿真研究了其机理。 LDMOS具有两个功能：平面栅极和扩展沟槽栅极（双栅极（DGs））的集成； N漂移区中的掩埋P层，形成三重减小的表面场（RESURF）（TR）结构。 三重RESURF不仅可以调节电场分布，而且还可以增加N漂移掺杂，从而导致截止状态下的比导通电阻（Ron，sp）降低，击穿电压（BV）改善。 DG形成双传导通道，而且，扩展的沟槽栅极扩大了垂直传导面积，这两者都进一步降低了Ron，sp。 通过仿真，对于DG TR金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），BV和R on，sp分别为328 V和8.8mΩ·cm2。 与常规SOI LDMOS相比，具有与DG TR MOSFET相同尺寸的器件参数的DG TR MOSFET将R on，Sp降低了59％，并将BV增大了6％。 扩展的沟槽栅极同步地充当高压集成电路中高压器件和低压电路之间的隔离沟槽，从而节省了芯片面积并简化了制造Craft.io。
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