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静电力显微镜研究界面相关电荷陷阱和高k基陷阱结构的损耗特性
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上传时间: 2021-03-16
详细说明：通过静电力显微镜研究了高k基俘获层结构的电荷俘获和损耗特性，证明了界面提供了主要的俘获位点。 确定HfO（2）和Al（2）O（3）单层的沉积后退火的影响。 基于上述发现，我们证明了HfO（2）/ Al（2）O（3）双层陷阱结构具有改进的性能。 还可以通过提取扩散系数来评估横向电荷扩散特性，以进一步了解界面效应。 这项研究可以为电荷陷获结构的基本评估和优化提供见解，尤其是对于高密度NAND闪存应用。
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