您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:664576
    • 提供者:fromnewword
  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电,因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题,希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-08-18
    • 文件大小:628736
    • 提供者:maosheng007
  1. 新模拟电子技术缩减版下册.pdf

  2. 想学习运放相关知识的同学可以下载看看,讲的非常好,内容丰富Section107.集成开关电容滤波器 30 5.其它信号处理电路 峰值检测和精密整流电路 Scction107.峰值检测电路 Sectionl08.精密整沇电路」 34 功能放大器 Section l09.有效值检测芯片 Section10.程控增益放大器. 37 Section111.压控增益放大器 37 5.3 比较器 Section112.运放实现的比较器. Scction13.迟滞比较器 Section4.集成比较器. 5.4
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2019-06-29
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:a932265643
  1. 一种低电压开关电流甲乙类存储单元的设计

  2. 引言   开关电流存储单元是电流模式采样数据信号处理系统的基本单元电路,其性能的优劣直接影响采样系统的整体性能,因此,研究设计性能优良的开关电流存储单元是研究开关电流技术的重要环节。根据出现时间的先后,可将其分为第一代开关电流存储单元和第二代开关电流存储单元。第一代开关电流存储单元的优点是瞬态虚假信号很小,可以输出非单位增益电流信号,以及采用相对简单的单相时钟方案。它的不足是需要由两个晶体管组成,因此存在失配误差问题和较大的功耗。为克服失配误差等问题,人们进而研究出第二代开关电流存储单元。第二代
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-06
    • 文件大小:164864
    • 提供者:weixin_38716423
  1. 一种低电压低功耗的甲乙类S2I存储单元

  2. 开关电流技术[1]是一种模拟取样信号处理新技术,主要应用于开关电流滤波器和模数转换器设计。由于开关电流电路无需使用双层多晶硅电容,因此电路可以采用标准的CMOS数字工艺实现,从而降低了制造成本;采用开关电流技术可以缩小芯片尺寸,满足现代SoC系统低电压、低功耗需求。开关电流电路的建立时间由环路带宽f∞决定[2]:   式中的μ为沟道电荷迁移率,Vgs为MOS管的栅一源电压,VT为开启电压,L为沟道长度。根据式(1)确定的关系,表明开关电流电路完全可以在数百兆赫兹的高频下正常工作,因此可以用于高
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-04
    • 文件大小:307200
    • 提供者:weixin_38670065
  1. 采用开关电流技术和CMOS数字工艺实现甲乙类SI存储单元的设计

  2. 开关电流技术是一种模拟取样信号处理新技术,主要应用于开关电流滤波器和模数转换器设计。由于开关电流电路无需使用双层多晶硅电容,因此电路可以采用标准的CMOS数字工艺实现,从而降低了制造成本;采用开关电流技术可以缩小芯片尺寸,满足现代SoC系统低电压、低功耗需求。开关电流电路的建立时间由环路带宽f∞决定:    式中的μ为沟道电荷迁移率,Vgs为MOS管的栅一源电压,VT为开启电压,L为沟道长度。根据式(1)确定的关系,表明开关电流电路完全可以在数百兆赫兹的高频下正常工作,因此可以用于高速电路的设计
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:301056
    • 提供者:weixin_38644141