一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现pdf,

一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现pdf,一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现sh In Meeo维库 图3加入吸收回路的DCM关键波形 关键字:反激变换器RCD吸收回路 MOSFET 式中:isn是流进吸回路的电流;Vsn是吸收回路电容上的电压;n是卡变压器币 数;LIK1是主变压器的漏感。因此,时时TS可以从下式求出: IKI t,=V1- nv queen算 中: Ipeak是一次电流的峰值。 吸收回路电容电压,Vsn在最低输人电压及满载条件下决定。一且Vsn定了,则 吸收回路的

当MOSFET关断时，就会有一个高压尖刺出现在其漏极上。这是由于主变压器的漏感和MOSFET输出电容谐振造成的，在漏极上过高的电压可能会击穿MOSFET，为此就必须增加一个附加电路来钳制这个电压。在此技术范围，我们介绍反激变换器的RCD吸收回路。