本设计中的抗SEU存储器的设计可通过ACTEL的ProAsic系列A3P400 FPGA实现，并可使用与其配套的Liber08．5 EDA工具进行代码的编辑和原理图的绘制，并进行功能仿真与电路的综合。

为了改善星载存储器的抗SEU性能，增加星载存储器在空间使用的灵活性，文中基于ACTEL公司的ProAsic系列A3P400FPGA并采用扩展汉明码和TMR两种检错纠错方法相结合的方式，同时使用可变内存配置方案，设计了一种新型的抗SEU存储器电路。与传统的EDAC芯片相比，本设计不仅可以对出错数据进行修正而且还可以实时的进行回写。

随着我国航空航天事业的迅猛发展，卫星的应用越来越广泛。然而，太空环境复杂多变，其中存在着各种宇宙射线与高能带电粒子，它们对运行于其中的电子器件会产生各种辐射效应。辐射效应对电子器件的影响不可忽视，因为辐射会使器件的性能参数发生退化，以至失效，从而影响卫星的可靠运行，缩短卫星的使用寿命。辐射效应对电子器件的影响很多，其中最主要的有总剂量效应(TID)和单粒子效应(S-EE)。SEE按产生的影响主要包括单粒子翻转(SEU)、单粒子闩锁(SEL)和单粒子烧毁(SEB)等三种类型，其中以SEU最为常见。