为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统一阶低压带隙基准电路相比，具有低功耗和更低的温漂系数。基于中芯国际130 nm COMS工艺，仿真表明，温度在-20 ℃～80 ℃范围内，温漂为4.6 ppm/℃，电源抑制比为60 dB，输出基准电压为610 mV，整体电路功耗为820 nW。

提出了一种新型的低压带隙基准源，与传统的带隙基准不同，该电路引入了第三个电流，以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项，从而实现曲率补偿。采用0．18μm CMOS工艺进行设计验证，HSpice仿真结果表明，室温下的输出电压为623 mV，-55～+125℃范围内的温度系数为4．2 ppm／℃，1．0～2．1 V之间的电源调整率为0．9 mV／V。