本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负载瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后，采用SMIC 0.18μm CMOS工艺完成了包括功率调整管、电阻反馈网络和误差放大器三个部分的电路设计，并用Cadence Spectre对设计的整体电路进行了仿真和优化，最终实现电路的设计要求，而且可以在片内集成。可在0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，电路正常工作时温度范围：-55℃~ 125℃，该电路工作电压范围为2.1～3.6V，输出电压1.

本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路中的电源保护。

摘要: 本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路中的电源保护。 　　关键词: CMOS; 欠压保护 1.引言 　　在电机驱动、UPS等系统中电压的稳定尤为重要，欠压、过压保护是必不可少的，因此通过在芯片内部集成过压、欠压保护电路来提高电源的可靠性和安全性。对功率集成电路，为提高电路的可靠性，保护电路同样必不可少。保护电路的设计要简单、实用，本文设计了一

摘要: 本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路，首先分析了电路的工作原理，而后给出了各MOS管的参数计算，并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单，工艺实现容易，可用于高压和功率集成电路中的电源保护。 　　关键词: CMOS; 欠压保护 1.引言 　　在电机驱动、UPS等系统中电压的稳定尤为重要，欠压、过压保护是必不可少的，因此通过在芯片内部集成过压、欠压保护电路来提高电源的可靠性和安全性。对功率集成电路，为提高电路的可靠性，保护电路同样必不可少。保护电路的设计要简单、实用，本文设计了一