摘 要： 氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点， 使其具有带宽宽， 高效特性等优点。为了研究GaN 功率放大器的特点， 使用了Ag ilent ADS 等仿真软件， 进行电路仿真设计， 设计制作了一种S 波段宽带GaN 功率放大器。详述了电路仿真过程， 并对设计的宽带GaN 功率放大器进行测试， 通过测试的实验数据表明， 设计的宽带放大器在S 波段宽带内可实现功率超过44 dBm 的功率输出， 验证了GaN 功率放大器具有宽带的特点。 　　新一代半导体功率器件主要有SiC 场效应晶体管和Ga

氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电路仿真过程，并对设计的宽带GaN功率放大器进行测试，通过测试的实验数据表明，设计的宽带放大器在S波段宽带内可实现功率超过44 dBm的功率输出，验证了GaN功率放大器具有宽带的特点。

针对超宽带功率放大器(UWB PA)匹配电路的设计难点,提出一种结合连续型功放理论、多谐波双向牵引低损耗匹配(LLM)技术以及切比雪夫低通滤波器阻抗变换原理的超宽带功率放大器设计方法。并利用此方法设计一款基于CREE 公司CGH40025F-GaN HEMT,工作频带为400-3900MHz 的超宽带功率放大器。实.验结果表明:在输入功率为30dBm(1W)时,增益为12. 25依0. 75dB,输出功率大于41. 5dBm(14. 1W),功率附加效率(PAE)为41-65. 1%,噪声系数(

摘 要： 氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点， 使其具有带宽宽， 高效特性等优点。为了研究GaN 功率放大器的特点， 使用了Ag ilent ADS 等仿真软件， 进行电路仿真设计， 设计制作了一种S 波段宽带GaN 功率放大器。详述了电路仿真过程， 并对设计的宽带GaN 功率放大器进行测试， 通过测试的实验数据表明， 设计的宽带放大器在S 波段宽带内可实现功率超过44 dBm 的功率输出， 验证了GaN 功率放大器具有宽带的特点。 　　新一代半导体功率器件主要有SiC 场效应晶体管和Ga