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  1. 计算机基础知识

  2. 1.1 计算机的产生和发展1.2 计算机的系统及工作原理 1.3 计算机中有关数、编码的基本常识1.4 原码、反码与补码1.5 逻辑运算 1.1 计算机的产生与发展 计算机的产生是20世纪最重要的科学技术大事件之一。世界上的第一台计算机（ENIAC）于1946年诞生在美国宾夕法尼亚大学，到目前为止，计算机的发展大致经历了四代： ① 第一代电子管计算机，始于1946年，结构上以CPU为中心，使用计算机语言，速度慢，存储量小，主要用于数值计算； ② 第二代晶体管计算机，始于1958年，结构上以存储

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-03-15
    • 文件大小：21504
    • 提供者：u014119895

  1. 开关电源核心技术.pdf

  2. 开关电源核心技术pdf,开关电源是一种电压转换电路，主要工作内容是升压和降压，广泛应用于现代电子产品，因为开关三极管总是工作在开和关的状态，所以称为开关电源。维修 有些开关电源很复杂,元器件密密麻麻,很多保护和控制电路, 在没有技术支持的情况下,维修起来是一件很头疼的事。在我面对这种情 况时,首先我会找到开关管及其参与振荡的外围电路,把它从电路屮分离 出来,看它是否满足振荡的条件,如检测偏置是否正常,正反馈冇无故障, 还有廾关管本身,计关电源有板强大的保护功能,排除后检察掉制和保护 及负载电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究.pdf

  2. 基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究pdf,基于直流变频技术的压缩机驱动系统的研究密封技木两 www.mfw365.com 首家密封技行业门户网站 explained in the concrete Moreover, according to characteristic of the motor' s structure, the old Three-step Starting Technology" has been improved. What is more Important, a

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：15728640
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 三种IGBT驱动电路和保护方法.pdf

  2. 三种IGBT驱动电路和保护方法pdf,本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：1)提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。2)提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。3)尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。4)足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。5)具有灵敏的过流保护能力。逻辑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：284672
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 基础电子中的浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

  2. 导读：本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发，系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点，从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术，并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。 　　一、背景 　　绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管（Bipolar）基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有MOS输入、双极输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38634065

  1. 模拟技术中的Zetex推出SOT23封装的新型功率晶体管

  2. 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex日前推出全新的采用SOT23封装的双极晶体管系列。它们能以更小的尺寸实现与较大的SOT223封装相同的电流处理功能，有效地缩减印刷电路板的尺寸。  　　SOT23器件的面积仅为2.5毫米×3.05毫米，与SOT223器件6.7毫米×7.3毫米的面积相比，可成功节省八成以上的电路板空间。  　　首批产品包括六款微型器件，NPN及PNP晶体管各占三款，它们的额定电压分别为50V、60V和100V，开关负载高达400W。微型ZXTN及ZXTP高功率密度晶体

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38625416

  1. 传感技术中的Cypress 300万像素CMOS图像传感器

  2. 赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor）于今日携一款高品质、低成本的300万像素CMOS图像传感器进军照相手机市场，该图像传感器是专为使那些具备照相功能的移动设备拥有数码相机的画质而开发的。这款新型传感器采用较低分辨率设备常用的1/3英寸光格式提供了高分辨率图像，从而使得制造商无需斥资安装新的光学透镜即可实现其产品的升级换代。 该新型器件运用了Cypress的三晶体管（3T）像素技术，旨在大幅度地改善低感光度（且无需增加像素晶体管的数量或牺牲图像质量）。此外，它还采用了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38610870

  1. PCB技术中的ZetexSOT23封装的新型功率晶体管

  2. Zetex日前推出全新的采用SOT23封装的双极晶体管系列。它们能以更小的尺寸实现与较大的SOT223封装相同的电流处理功能，有效地缩减印刷电路板的尺寸。 SOT23器件的面积仅为2.5毫米×3.05毫米，与SOT223器件6.7毫米×7.3毫米的面积相比，可成功节省八成以上的电路板空间。 首批产品包括六款微型器件，NPN及PNP晶体管各占三款，它们的额定电压分别为50V、60V和100V，开关负载高达400W。微型ZXTN及ZXTP高功率密度晶体管的功率耗散高达1.2W，能支持高达5A的连续集

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38725426

  1. 传感技术中的Vishay 推出三款新型环境光感应器

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.正在向其光电子产品系列中添加三款新型环境光感应器，这些器件可实现液晶显示器 (LCD) 自动亮度控制，并且具有可使汽车驾驶者感到舒适及安全的众多高级功能。 这些感应器提供了简单的双引脚连接，它们将用于通过控制键盘背光来降低消费类电子应用中的功耗，以及调节 LCD 的亮度。在汽车应用中，这些感应器将实现自动大灯控制，并可使隧道感应器以及显示器可自动调节，以适应环境亮度的变化。作为光电晶体管，这些感应器消除了对外部放大器的需求。 日前推出

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38617615

  1. 显示/光电技术中的Vishay发布三款环境光感应器用于LCD自动亮度控制

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.正在向其光电子产品系列中添加三款新型环境光感应器，这些器件可实现液晶显示器(LCD)自动亮度控制，并且具有可使汽车驾驶者感到舒适及安全的众多高级功能。 　　这些感应器提供了简单的双引脚连接，它们将用于通过控制键盘背光来降低消费类电子应用中的功耗，以及调节LCD的亮度。在汽车应用中，这些感应器将实现自动大灯控制，并可使隧道感应器以及显示器可自动调节，以适应环境亮度的变化。作为光电晶体管，这些感应器消除了对外部放大器的需求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38674050

  1. 三功能新型晶体管

  2. 冲电气工业公司研制成一种兼备发光、接收、放大三种功能的GaAs双极晶体管。该元件长320微米、宽530微米、厚6微米，在掺杂Si的n-GaAs衬底上用连续液相外延生长法层迭集电极、基极、宽发射极和发射极各层。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：583680
    • 提供者：weixin_38577200

  1. 浅析大功率IGBT芯片的技术现状与特点

  2. 导读：本文分别从IGBT芯片体结构、背面集电极区结构和正面MOS结构出发，系统分析了大功率IGBT芯片的技术现状与特点，从芯片焊接与电极互连两方面全面介绍了IGBT模块封装技术，并从新结构、新工艺及新材料技术三方面分析了IGBT技术未来的发展方向。 　　一、背景 　　绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管（Bipolar）基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有MOS输入、双极输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：103424
    • 提供者：weixin_38712279

  1. ZetexSOT23封装的新型功率晶体管

  2. Zetex日前推出全新的采用SOT23封装的双极晶体管系列。它们能以更小的尺寸实现与较大的SOT223封装相同的电流处理功能，有效地缩减印刷电路板的尺寸。 SOT23器件的面积仅为2.5毫米×3.05毫米，与SOT223器件6.7毫米×7.3毫米的面积相比，可成功节省八成以上的电路板空间。 首批产品包括六款微型器件，NPN及PNP晶体管各占三款，它们的额定电压分别为50V、60V和100V，开关负载高达400W。微型ZXTN及ZXTP高功率密度晶体管的功率耗散高达1.2W，能支持高达5A的连续集

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：35840
    • 提供者：weixin_38725426