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  1. msp430书稿开发板

  2. 第一章 超低功耗单片MSP430B - 11 - 1.1 单片机概述 - 11 - 1.1.1 MSP430系列单片机的特点 - 11 - 1.1.2 MSP430操作简介 - 11 - 1.1.3 MSP430系列单片机在系统中的应用 - 12 - 1.2 片内主要模块介绍 - 12 - 1.2.1时钟模块 - 13 - 1.2.1.1 MSP430F449的三个时钟源可以提供四种时钟信号 - 13 - 1.2.1.2 MSP430F449时钟模块寄存器 - 14 - 1.2.1.3 FLL

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-03-17
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：lantingele

  1. MOSFET管开关电路基本知识总结.pdf.pdf

  2. MOSFET管开关电路基本知识总结.pdfpdf,MOSFET管开关电路基本知识总结.pdf般来讲,三极管是电流驱动的, MOSFET是电压驱动的,因为我是 用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用 MOSFET做,这样也可以节省系 统功耗吧,在做开关管时有一个必頒注意的事项就是输入和输入两端 间的管压降问题,比如个5的电源,经过管了后可能变为了4.5V, 这时候要考虑负载能不能接受了,我曾经遇到过这样的问题就是负载 的最小工作电压就是5V了,经过管子后发现系统工作不起来,后来才 想起来管子上占了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：693248
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 三极管-饱和总结

  2. 三极管在饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制，另外一个应该注意的问题就是：在Ic增大的时候，hFE会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib〉〉Ic（max）/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-07
    • 文件大小：131072
    • 提供者：zliang1218

  1. 三极管-饱和总结.doc

  2. 三极管做开关时的经验总结，参数，饱和条件。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-08-16
    • 文件大小：131072
    • 提供者：zliang1218

  1. 一些硬件设计基础知识总结

  2. 1：什么是二极管的正偏?在p节加正电压，而n节加负电压。即为正偏。 正偏是扩散电流大大增加，反偏使漂移电流增加。但是漂移电流是由于少子移动形成的，所以有反向饱和电流! 2：一般低频信号，电阻线的粗细是为了流多少电流，而粗细带来的电阻大小不计，因为铜线本身电阻很小，当然特殊情况例外! 3：MOS管是依靠多子电子的一种载流子导电的，与晶体三极管的多子与少子一起参与导电的情况不一样。它是一种自隔离器件，不需要设置晶体三极管中的隔离岛，节省心片面积，适合超大规模电路。它的特点是 压控!即控制端几乎

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：156672
    • 提供者：weixin_38558054

  1. 三极管基础电路的总结

  2. 在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能，此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件，此时三极管处于饱和状态。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38675970

  1. 三极管饱和问题总结

  2. 这是我当年教电子技术时的一点心得，谈到三极管，初学的人很难理解。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-04
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38706531

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结及相关问题解答。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：303104
    • 提供者：weixin_38698403

  1. 元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。 　　三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和; 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和? 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38707192

  1. 基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：278528
    • 提供者：weixin_38539018

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的嵌入式电路设计之三极管基础电路总结

  2. 开关器件　　在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能，此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件，此时三极管处于饱和状态。现举一例来说明该类电路特点： 　　为仿真电路图不是很完整，该电路为晶振关闭功能电路，其中VO接MCU晶振输入端如(XIN)。　　若Q1和Q3基极同时为低时，Q2导通而使得VO为0造成晶振停振关闭处理器。我们分析R3和R4(实际电路470K)使得Q2和Q3处于饱和态;Q3为Q1集电极负载，调整R5阻值时可控制Q

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：181248
    • 提供者：weixin_38683721

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：300032
    • 提供者：weixin_38504417

  1. 嵌入式电路设计之三极管基础电路总结

  2. 开关器件　　在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能，此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件，此时三极管处于饱和状态。现举一例来说明该类电路特点： 　　为仿真电路图不是很完整，该电路为晶振关闭功能电路，其中VO接MCU晶振输入端如(XIN)。　　若Q1和Q3基极同时为低时，Q2导通而使得VO为0造成晶振停振关闭处理器。我们分析R3和R4(实际电路470K)使得Q2和Q3处于饱和态;Q3为Q1集电极负载，调整R5阻值时可控制Q

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：169984
    • 提供者：weixin_38692707