东芝宣布推出多款最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块,并宣布这些产品完全符合e-MMC*2和eSD*3标准。这些嵌入式产品用于移动数码消费产品,包括手机和数码相机。样品将于2008年9月出厂,从第四季度开始量产。
该款32GB嵌入式新产品采用东芝先进的43nm制程技术,收纳了8枚32Gbit(=4GB)的NAND芯片和一个专用控制器。新产品完全符合JEDEC/MMCA Ver 4.3*4和SDA Ver 2.0*5标准以及MultiMediaCard Association(多媒体
东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)的TB7001FL多芯片模块整合了一个带MOSFET和该公司MOSBD的驱动IC、单裸片功率MOSFET以及一个肖特基势垒二极管,封装尺寸为8×8×0.85mm,主要面向大电流和高频电源的DC/DC转换应用。此款MCM是东芝继双通道MOSBD(集成了一个高端MOSFET和低端MOSFET/肖特基势垒二极管)后最具集成度的多芯片模块。 该MCM在DC/DC转换器的高端采用了功率MOSFET,M