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1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计 .
目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一,对通信设备的上述性能产生直接的影响。随着微电子工艺的发展, CMOS器件的栅长进一步缩小,MOS器件的过驱动电压也进一步降低,这就为设计低压低功耗的射频电路提供了可能,但是依靠减小MOS器件的栅长降低工作电压是有限的。因此,电路设计者把更多的注意力集中到电路拓扑结构上,使设计具有低压结构的射频电路成为了热门课题。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:380928
提供者:
weixin_38732842
RFID技术中的1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计
目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一,对通信设备的上述性能产生直接的影响。随着微电子工艺的发展, CMOS器件的栅长进一步缩小,MOS器件的过驱动电压也进一步降低,这就为设计低压低功耗的射频电路提供了可能,但是依靠减小MOS器件的栅长降低工作电压是有限的。因此,电路设计者把更多的注意力集中到电路拓扑结构上,使设计具有低压结构的射频电路成为了热门课题。 传统的Gilbert混频器由跨导级、开关级、负载级堆叠组成,其结构自下而上分
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:284672
提供者:
weixin_38666753
电子测量中的低压低功耗混频器的设计
摘要:本文对常见的混频器结构进行了调整,提出了一种新的混频器结构——低压低功耗混频器,分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降,从而达到降低电源电压的目的。采用1.5V TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真,该混频器仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm。 自20世纪60年代以来,集成电路的发展一直遵循1965年Intel公司的创始人之一Gordon
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-09
文件大小:253952
提供者:
weixin_38623819
具有电流重用和Gm增强技术的1V830μW全频段ZigBee接收器前端
本文设计了一种低电压低功耗CMOS射频接收前端,该射频前端可以覆盖ZigBee通信协议中的780/868/915 / 2400MHz波长。该射频前端电路将宽带共栅低噪声放大器和I / Q电流开关型混频器合并,掺入谐振电流;同时,射频前端电路的设计过程中仍运用了有源跨导增强技术。此处称为射频前端的电路结构和详细的设计和优化过程。射频前端电路采用180nm RF CMOSCraft.io设计,版图后仿真结果表明射频前端电路在780/868 / 915MHz转换的变频增益为26.5dB,在2400MH
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-15
文件大小:397312
提供者:
weixin_38634037
低压低功耗混频器的设计
摘要:本文对常见的混频器结构进行了调整,提出了一种新的混频器结构——低压低功耗混频器,分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降,从而达到降低电源电压的目的。采用1.5V TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真,该混频器仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm。 自20世纪60年代以来,集成电路的发展一直遵循1965年Intel公司的创始人之一Gordon
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:351232
提供者:
weixin_38709816
1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计
目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一,对通信设备的上述性能产生直接的影响。随着微电子工艺的发展, CMOS器件的栅长进一步缩小,MOS器件的过驱动电压也进一步降低,这就为设计低压低功耗的射频电路提供了可能,但是依靠减小MOS器件的栅长降低工作电压是有限的。因此,电路设计者把更多的注意力集中到电路拓扑结构上,使设计具有低压结构的射频电路成为了热门课题。 传统的Gilbert混频器由跨导级、开关级、负载级堆叠组成,其结构自下而上分
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:395264
提供者:
weixin_38746387
一种适用于低电源电压下工作的折叠混频器
目前,无线通信设备正朝着低电压、低功耗、低噪声和高线性度的趋势发展。混频器作为收发机中的关键模块之一,对通信设备的上述性能产生直接的影响。随着微电子工艺的发展, CMOS器件的栅长进一步缩小,MOS器件的过驱动电压也进一步降低,这就为设计低压低功耗的射频电路提供了可能,但是依靠减小MOS器件的栅长降低工作电压是有限的。因此,电路设计者把更多的注意力集中到电路拓扑结构上,使设计具有低压结构的射频电路成为了热门课题。传统的Gilbert混频器由跨导级、开关级、负载级堆叠组成,其结构自下而上分别为跨导
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-12
文件大小:313344
提供者:
weixin_38678406