具有低Al含量的AlGaN层的大晶格失配引起的应力控制技术具有用于生长4英寸高品质GaN层。 硅衬底。 这项技术的使用允许电子迁移率为2040 cm2 /（Vs）的高迁移率AlGaN / GaN异质结构电荷密度为8.41012cm2。 应变松弛和位错演化机制有被调查了。 结果表明，低铝含量之间存在较大的晶格失配AlGaN层和AlN缓冲层可以有效地促进边缘位错的倾斜相对较大的弯曲角度，因此大大降低了GaN中的位错密度外延层。 我们的结果显示出低成本和高性能制造的巨大潜力GaN-on-Si功率器件。