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  1. 元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。   三极管饱和问题总结:   1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。   2.集电极电阻 越大越容易饱和;   3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制   问题:基极电流达到多少时三极管饱和?   解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:271360
    • 提供者:weixin_38707192