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  1. 元器件应用中的碳化硅电力电子器件的发展现状分析

  2. 1   SiC二极管实现产业化     SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管(SBD)和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。     SiC肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件，它的工作过

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：121856
    • 提供者：weixin_38557896

  1. 元器件应用中的二极管的开关作用和反向恢复时间

  2. PN结二极管经常用来制作电开关。在正偏状态，即开态，很小的外加电压就能产生较大的电流，；在反偏状态，即关态，只有很小的电流存在于PN结内。我们最感兴趣的开关电路参数就是电路的开关速度。本节会定性地讨论二极管的开关瞬态以及电荷的存储效应。在不经任何数学推导的情况下，简单给出描述开关时间的表达式。二极管的开关作用利用二极管正、反向电流相差悬殊这一特性，可以把二极管作开关使用。当开关K打向A时，二极管处于正向，电流很大，相当于接有负载的外回路与电源相连的开关闭合，回路处于接通状态（开态）；当开关K打向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：149504
    • 提供者：weixin_38551046

  1. 元器件应用中的Vishay新增11款超快二极管，具有2A～150A的额定电流

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布11款新型Gen2 650V FRED Pt超快二极管。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用，具有极快的和软恢复的时间，以及低正向压降和反向峰值电流，可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和混合动力汽车、电焊机、服务器和连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）中的开关损耗。根据用户需求设计的“U”系列可用于频率最高为40kHz的应用，具有低得多的正向压降，可优化导通损耗。 　　此次发布的Vishay超快二极管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38624557

  1. 元器件应用中的Vishay推出新款超快二极管，优化系统开关损耗

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布11款新型Gen2 650V FRED Pt?超快二极管。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用，具有极快的和软恢复的时间，以及低正向压降和反向峰值电流，可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和混合动力汽车、电焊机、服务器和连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）中的开关损耗。根据用户需求设计的“U”系列可用于频率最高为40kHz的应用，具有低得多的正向压降，可优化导通损耗。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：115712
    • 提供者：weixin_38685521

  1. 元器件应用中的新一代功率MOSFET系列器件问世

  2. 导读：近日，英飞凌科技股份公司开发出新一代功率MOSFET系列器件，该系列器件主要是针对体二极管硬式整流进行优化而退出的200V和250V OptiMOS FD,新产品的推出进一步完善了中压产品组合。 　　据了解，英飞凌的新一代功率MOSFET器件针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷（Qrr），比标准的200V和250V OptiMOS,200V和250V OptiMOS FD的Qrr降低了40%,大幅提升了系统可靠性，从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求；全新OptiMOS FD改善了硬换向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：37888
    • 提供者：weixin_38673694

  1. 元器件应用中的快恢复二极管与超快恢复二极管特点及检测

  2. 快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD （Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：132096
    • 提供者：weixin_38540819

  1. 元器件应用中的Qspeed推出具有低QRR的硅二极管整流器H系列

  2. 系列的硅二极管整流器主要面向电源制造商和高性能系统。600V PFC整流器在25°C具有5.9~9.8 nC的反向恢复电荷（QRR）,在125°C为14.9~30.5 nC，从而降低了EMI和有助于消除或缩小其它元件。 　　该整流器电流范围为3~12A，与先前二极管系列相比，具有更高功率。该二极管系列在25°C的正向电压范围2.50~2.63V，以及在150°C时为2.1~2.3VF。  来源:langen

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：34816
    • 提供者：weixin_38603219

  1. 元器件应用中的什么是肖特基二极管

  2. 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 　　肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38691199

  1. 元器件应用中的快速功率二极管正反向恢复特性仿真研究

  2. 摘要:在国内外电力电子领域对功率二极管模型研究成果的基础上,利用计算机仿真技术,从数学物理模型和电路模型两方面,对快速功率二极管的反向恢复特性进行了较深入的研究,获得了　　　　可正确描述正反向恢复过程的功率二极管仿真模型.该模型克服了标准二极管模型完全忽视正向恢复效应,对二极管反向恢复现象的模拟也会产生错误振荡的缺陷,因此具有较好的现实意义.  1 引言　　在弧焊逆变器中,大功率快恢复二极管的瞬态过渡过程和特性对于高频整流和主开关器件的正常工作具有至关重要的影响.在IGBT开通瞬间,功率二极管处

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38670501

  1. 元器件应用中的一般整流用二极管1S1885的特性

  2. 测定的二极管的开关特性表示如下图所示。这个二极管是100V、1A的一般用二极管。当输入信号消失时，反向流过很大的电流，其持续时间很长(与输入脉冲幅度有关)。这样的特性使其不能使用在高速开关电路中。 　　图 一般整流二极管1S1885的逆恢复特性　　  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38514322

  1. 元器件应用中的ZCP PWM转换器的优、缺点

  2. 一、ZCT PWM转换器的优点： 　　①在任意输入电压范围和负载范围，主开关管均可实现零电流关断； 　　②辅助支路的能量随着负载的变化而调整，从而减小了辅助支路的损耗； 　　③辅助支路工作时间很短，损耗很小； 　　④可以恒频控制。 　　二、ZCP PWM转换器的缺点： 　　①主开关管不是零电流开通； 　　②升压二极管存在反向恢复问题。 　　  来源:ks99

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    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38693311

  1. 元器件应用中的有源钳位反激式转换器

  2. 采用有源钳位技术的反激式转换器如图1所示。反激式转换器的特点是主电路简单，应用有源钳位电路，可以使变压器漏磁能量反馈。主开关管的结电容Cr与变压器漏感Lr谐振，在DCM和CCM工作模式下均可以实现主开关管和钳位MOS管的ZVS，使关断时的电压应力最小。有源钳位电路还可以限制输出整流二极管关断时的di／dt，从而减少由于反向恢复产生的开关损耗和输出开关噪声。有源钳位反激式转换器实现ZVS的条件是（Wastiom，1994，APEC）： 　　 　　 　　式中，Iv max为主开关管电流峰值，也

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：103424
    • 提供者：weixin_38737283

  1. 元器件应用中的超快恢复二极管（UFRD）

  2. 超快恢复二极管的反向恢复时间更短，一般trr＝50ns（不同电流和电压规格的UFRD，其trr是不同的）。PN结式UFRD的优点是：正向导通损耗小，结电容小,工作温度可以较高。   、 　　例如，型号为IN6620～IN6631的高电压超快恢复二极管（PIV≈1000 V）：trr为35ns或50ns，并且在高温下反向电流小、正向恢复电压低，适用于高电压输出（要求PIV为600V）的PWM开关转换器。型号为1N5802～1N5816，1N6304～1N6306的UFRD：PIV≤400V，可以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：28672
    • 提供者：weixin_38733333

  1. 元器件应用中的二极管反向恢复电流

  2. 以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管和输出二极管的电流idc和iD波形。可见前者的反向恢复电流的最大值仅为50mA，而后者反向恢复电流的幅值达12A，而且持续时间短。显然,作为电磁干扰源来考察，后者形成的干扰强度大，而且频带也宽得多。另外，整流桥二极管产生的电压跳变，也远小于功率MOSFET开关管导通和关断时产生的电压跳变。因此，可以不计整

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：114688
    • 提供者：weixin_38706007

  1. 元器件应用中的飞兆推出全新FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二极管

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新Stealth II和Hyperfast II二极管技术，作为其专为LCD TV开关电源(SMPS)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25nS  600V击穿电压)。这些特性非常适合于在CCM(连续电流模式)功率因数校正(PFC)设计中改善EMI和MOSFET开关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38697123

  1. 元器件应用中的三垦电气推出600V高压高速整流二极管

  2. 三垦电气将上市拥有600V逆电压的高耐压，同时实现了高速和低损耗的整流二极管。产品名称为“FMXK系列”。该产品设想应用于功率因数校正（Power Factor Correction: PFC）电路，比如平板电视中配备的通过减少高次谐波来减小功率损耗的电路等。 　　一般来说，PFC电路采用由IC、二极管等组成开关电路。不过，这种电路虽能减小高次谐波电流，但电路本身的功耗却增大。因此，降低元件损耗成为开发的关键。此前，降低二极管的损耗大多采用缩短反向恢复时间（trr）的方法。不过，从二极管的特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38619967

  1. 元器件应用中的飞兆推STEALTHTM II整流器能降低反向恢复损耗及EMI

  2. 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出7款新的STEALTH II快速恢复二极管，协助电源设计人员提高效率并同时减小占用空间。这些STEALTH II整流器具有快速反向恢复和软恢复特性，能够在CCM (连续电流模式) PFC设计中降低MOSFET开关损耗和EMI。虽然其它解决方案也可能具有很快的反向恢复功能，但却要付出EMI性能降低的代价。飞兆半导体的STEALTH II整流器具有很低的存储电荷及软恢复能力，可把功率开关电路中的振荡和电气噪声降至最小，从而降低总

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：125952
    • 提供者：weixin_38608688

  1. 元器件应用中的快恢复整流二极管的结构特点及特性

  2. 快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件，它的内部结构与普通二极管不同，它在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P一tI一N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，使反向恢复时间大大减少。除此之外，还降低了瞬态正向压降，使二极管能承受很高的反向电压。 　　反向恢复时间门是快恢复二极管的重要参数，它是指电流通过零点由正向转换成反向，再从反向转换到规定低值的时间间隔，如图一所示。 　　图一　反向恢复电流波形 　　图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr是反向恢复电流．通常规定

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38650508

  1. 元器件应用中的开关二极管的特性

  2. 由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧;在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10MΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。　　　　开关二极管就是为在电路上进"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间;从导通到截止的时司叫反向恢复时间;两个时司之和称为开关时间。一般反向恢复时司大于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38698018

  1. 元器件应用中的ST的肖特基二极管具备低VF且漏电流很小

  2. 意法半导体(ST)日前推出一系列150V肖特基二极管——STPS1150、STPS2150和STPS3150。新产品用于机顶盒、DVD视盘机、电视和高保真音响设备的逆向电源的二次侧整流功能。 　　这三款150V肖特基二极管的正向连续电流处理能力分别是1、2和3A。在100V二极管无法使用而200V器件使用成本既高又无效的应用中，可以使用该系列产品，它们是为这种情况专门设计的。 　　ST此次新推出的肖特基二极管有三个比普通P-N结整流管实用的特性。第一个特性是正向电压降(VF)低，从而降低了整流损

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38537777
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