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  1. 开关电源核心技术.pdf

  2. 开关电源核心技术pdf,开关电源是一种电压转换电路,主要工作内容是升压和降压,广泛应用于现代电子产品,因为开关三极管总是工作在开和关的状态,所以称为开关电源。维修 有些开关电源很复杂,元器件密密麻麻,很多保护和控制电路, 在没有技术支持的情况下,维修起来是一件很头疼的事。在我面对这种情 况时,首先我会找到开关管及其参与振荡的外围电路,把它从电路屮分离 出来,看它是否满足振荡的条件,如检测偏置是否正常,正反馈冇无故障, 还有廾关管本身,计关电源有板强大的保护功能,排除后检察掉制和保护 及负载电路。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-19
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38743602
  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:664576
    • 提供者:fromnewword
  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电,因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题,希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-08-18
    • 文件大小:628736
    • 提供者:maosheng007
  1. 元器件应用中的IGBT的常识及使用注意事项

  2. 一、IGBT管简介   IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的简称,它是80年代初诞生,90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点,其频率特性介于MOS-F
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:105472
    • 提供者:weixin_38631225
  1. 元器件应用中的功率MOSFET场效应管的特点

  2. 功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),简称功率MOSFET,它是一种电压控制器件。根据载流子的性质,MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型,图形符号如图所示。根据导电结构,MOSFET有垂直导电结构与横向导电结构,而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的,这种晶体管称为VMOSFET。   (a)N沟道类型:(b)P沟道类型   图 功率MOSF
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-12
    • 文件大小:151552
    • 提供者:weixin_38698943
  1. 元器件应用中的D类MOSFT在发射机射频功放中的应用

  2. O 引言   随着微电子技术的发展,MOS管在电子与通信工程领域的应用越来越广泛。特别是在大功率全固态广播发射机的射频功率放大器中,利用MOS管的开关特性,可使整个射频功率放大器工作在开关状态,从而提高整机效率,改善技术性能,同时使发射机的射频功率放大器处于低电压范围,有利于设备的稳定运行。本文对D类MOS管在广播发射机射频功放电路中的应用进行了探讨。   1 MOSFET的开关特性   MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Fie
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-09
    • 文件大小:282624
    • 提供者:weixin_38527978
  1. 元器件应用中的MT系列V-MOS功率场效应管

  2. MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。  MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:131072
    • 提供者:weixin_38509082
  1. 元器件应用中的VN系列N沟道V-MOS功率场效应管

  2. VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。  VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:186368
    • 提供者:weixin_38741244
  1. 元器件应用中的功率MOS场效应管

  2. 表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。  一些小功率场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:116736
    • 提供者:weixin_38651540