快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件，它的内部结构与普通二极管不同，它在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P一tI一N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，使反向恢复时间大大减少。除此之外，还降低了瞬态正向压降，使二极管能承受很高的反向电压。 　　反向恢复时间门是快恢复二极管的重要参数，它是指电流通过零点由正向转换成反向，再从反向转换到规定低值的时间间隔，如图一所示。 　　图一　反向恢复电流波形 　　图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr是反向恢复电流．通常规定