您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 元器件应用中的怎样用最小的代价降低MOS的失效率?

  2. 【前言】  在高端MOS的栅极驱动电路中,自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中,MOS常莫名其妙的失效,有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。  【问题分析】   上图为典型的半桥自举驱动电路,由于寄生电感的存在,在高端MOS关闭后,低端MOS的体二极管钳位之前,寄生电感通过低端二极管进行续流,导致VS端产生负压,且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位,导致驱动电路异常,还可能让自举电容过充电导致驱动电路或者栅
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:93184
    • 提供者:weixin_38742951