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  1. 元器件应用中的恩智浦最新一代低VCEsat晶体管功率损耗可减少80%

  2. 恩智浦半导体(NXP)发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。    第三代BISS晶体管的最大集电极电流为5.8安培,它使用网状发射极技术降低RCEsat,从而能够提供更高的电流容量以及超低的VCEsat。BISS晶体管
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-27
    • 文件大小:41984
    • 提供者:weixin_38657102
  1. 元器件应用中的NXP发布最新一代低VCEsat晶体管其功率损耗可减少80%

  2. 恩智浦半导体发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。   华硕公司研发处主任郑庆福表示:“卓越的节能性能是华硕科技(ASUSTek)非常关注的一项重要性能,也是我们获得世界首个笔记本电脑TCO’99认证的关键因素。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-30
    • 文件大小:52224
    • 提供者:weixin_38655998