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  1. 元器件应用中的IGBT的常识及使用注意事项

  2. 一、IGBT管简介   IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的简称,它是80年代初诞生,90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出电流大的优点,其频率特性介于MOS-F
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:105472
    • 提供者:weixin_38631225
  1. 元器件应用中的MOS 集成电路防静电预防方法

  2. 以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比,MOSIC具有以下优点:①制造结构简单,隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件,设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-11
    • 文件大小:79872
    • 提供者:weixin_38658982
  1. 元器件应用中的MOS场效应管基础知识讲述

  2. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-17
    • 文件大小:83968
    • 提供者:weixin_38743076
  1. 元器件应用中的绝缘栅型场效应管(MOS管)

  2. 1.绝缘栅型场效应管的结构  绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。  绝缘栅型场效应管和结型场效应管一样,有N沟道和P沟道两种类型,每种类型又分为增强型和耗尽型两种。图中(a)为增强型,(b)为耗尽型。这两种类型的结构都是在P型材料的基层上扩散两个高掺杂的N区,引出的电极即为源极和漏极。当UGs=O时,漏源极已存在
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:185344
    • 提供者:weixin_38515573