由于CMOS工艺通常只提供单电压工作，不允许探测器电压高于电路工作电压，而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作，这就减小了探测器耗尽区宽度，影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的 影响。在BiCMOS工艺中利用N＋隐埋层集电极作为探测器阴极，P＋源/漏注入形成阳极，低掺杂外延层形成探测器 I层，这样就形成了纵向PIN结构。由于P型隔离层将PIN的N＋阴极限制在光电二极管区域，起到了隔离探测器和 CMOS器件的作用，因此可以在光电二极管的两端加上较大电压，使得耗尽区