所有　ＭＯＳ　集成电路　（包括　Ｐ　沟道　ＭＯＳ，　Ｎ　沟道　ＭＯＳ，　互补　ＭＯＳ　—　ＣＭＯＳ　集成电路）　都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是　２５ｎｍ　５０ｎｍ　８０ｎｍ　三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ＥＳＤ），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 　　按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的