恩智浦半导体(NXP)发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。  　　第三代BISS晶体管的最大集电极电流为5.8安培，它使用网状发射极技术降低RCEsat，从而能够提供更高的电流容量以及超低的VCEsat。BISS晶体管

恩智浦半导体发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数码相机）的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。 　　华硕公司研发处主任郑庆福表示：“卓越的节能性能是华硕科技（ASUSTek）非常关注的一项重要性能，也是我们获得世界首个笔记本电脑TCO’99认证的关键因素。