(ASML, China 技术行销经理)摘 要：由于新近的技术突破，先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm，甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标，新的介面液体，偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论。光刻技术可望继续被延伸到2010年。 关键词：浸没式光刻,高折射率液体,偏振光源辅助成像,TM,TE1 前言 正当前趋光刻研发寻找Next Generation Lithography之时，所发现的反而是有更多的发
