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  1. 步进电动机高精度细分方法及其控制系统

  2. 本论文题目来自对现有椭偏仪进行技术改进工作中的“用步进电机取代传统直流减速电机”的研究课题。椭圆偏振测量技术是一种测量薄膜厚度和研究其表面特性的先进方法，具有灵敏度高、精度高、实时和无损样品的优点。在半导体、光学材料、表面物理、化工、冶金、生物和医学等领域都有重要应用。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-22
    • 文件大小：284672
    • 提供者：ytao1988

  1. 光机系统设计part1

  2. 在对一个快速发展的领域进行了充分研究后，《光机系统设计(原书第3版)》的改进要点如下： 对光机领域内的最新发展和技术进行了详细的回顾： 采用统计学的方法评估光学件(系统)的寿命及使光学件的断裂应力达到最大化的方法： 提出了新的理论来阐述温度变化对安装应力和压力的影响； 对空间环境的特性，对环境敏感的设备所需要的振动标准及激光对光学件的损伤重新进行了讨论； 给出了新材料机械性能的最新列表。 无论读者是在设计一台高分辨率的投影仪或者是最敏感的空间望远镜，都可以在《光机系统设计》(原书第3版)中找到

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-03-12
    • 文件大小：28311552
    • 提供者：lufan2008

  1. 光机系统设计part2

  2. 在对一个快速发展的领域进行了充分研究后，《光机系统设计(原书第3版)》的改进要点如下： 对光机领域内的最新发展和技术进行了详细的回顾： 采用统计学的方法评估光学件(系统)的寿命及使光学件的断裂应力达到最大化的方法： 提出了新的理论来阐述温度变化对安装应力和压力的影响； 对空间环境的特性，对环境敏感的设备所需要的振动标准及激光对光学件的损伤重新进行了讨论； 给出了新材料机械性能的最新列表。 无论读者是在设计一台高分辨率的投影仪或者是最敏感的空间望远镜，都可以在《光机系统设计》(原书第3版)中找到

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-03-12
    • 文件大小：24117248
    • 提供者：lufan2008

  1. 铍镁共掺氧化锌纳米晶的制备及光学性能

  2. 铍镁共掺氧化锌纳米晶的制备及光学性能，李玉芳，刘妍利，胶体氧化锌纳米晶是一类非常重要的半导体材料，与传统薄膜材料相比它有许多优势，如优异的光电性能、易于制备和加工。掺杂或合金

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38697753

  1. 专业低温等离子体与稀薄气体仿真

  2. PEGASUS专注于稀薄气体的直接蒙特卡洛模拟和低气压放电等离子体模拟，是真空技术、等离子体技术、薄膜技术、微电子技术、微细加工技术的专业数值模拟软件，能广泛应用于微电子中刻蚀、沉积和溅射设备，真空泵的优化设计，MEMS的工艺过程设计，再入飞行器等领域的研究，应用行业涵盖电子/半导体、新材料(纳米管、光纤)、新能源(燃料电池、太阳能光伏)、MEMS、光学、陶瓷、食品/饮料、汽车、航天、金属加工等领域。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2013-08-28
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：jhxfuture

  1. 步进电机细分原理.pdf

  2. 步进电动机高精度细分方法及其控制系统 叶韦韦 华南师范大学电信工程系 99 级 本论文题目来自对现有椭偏仪进行技术改进工作中的“用步进电机取代传统直流减速电机”的研究课题。椭圆偏振测量技术是一种测量薄膜厚度和研究其表面特性的先进方法，具有灵敏度高、精度高、实时和无损样品的优点。在半导体、光学材料、表面物理、化工、冶金、生物和医学等领域都有重要应用。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-09
    • 文件大小：303104
    • 提供者：qq_40862304

  1. 光学薄膜--半导体材料

  2. 一些关于半导体光学薄膜的PPT，属于半导体材料，包括基础光学薄膜和国防光电材料

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-25
    • 文件大小：857088
    • 提供者：pz_optical

  1. 显示/光电技术中的概述LED芯片生产过程与MOCVD知识

  2. LED外延片（外延片） 　　LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法。 　　MOCVD 　　金属有机物化学气相淀（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38669881

  1. 高亮度半导体激光器腔面膜的研究

  2. 要降低半导体激光器阈值电流密度和提高外微分量子效率,其中采取的主要方法之一是在发光芯片的两个端面选取适当的能量反射比。根据光学薄膜的设计理论,优化膜系结构,并采用电子束离子辅助蒸发技术,选取合适的薄膜材料,在条宽100 μm,腔长1 mm的850 nm半导体激光器发光芯片的两个端面沉积光学介质膜。其作用不仅获得一定的光谱特性,而且可以使发光腔面钝化。经过反复实验优化薄膜沉积的工艺参量,可以减少膜层材料的吸收,提高膜层的激光损伤阈值。经测试采用此方法制作出的高亮度半导体激光器使用寿命明显提高,发光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：790528
    • 提供者：weixin_38704870

  1. p型掺杂Fe的CuCrO“ 2半导体薄膜的磁，电和光学性质

  2. 通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜，该薄膜具有相当好的p型导电性，TC远高于室温的铁磁性，并且在可见光范围内具有较高的透明度。 研究了铁浓度（0-15 at％）对组织和物理性能的影响。 用Fe3 +代替Cr3 +会引起晶格膨胀，这有利于氧的插入并因此产生较高的空穴浓度。 因此，p型电导率显着提高到28 S cm-1。 此外，Fe3 +的引入导致空穴介导的Fe3 + -Cr3 +超交换耦合负责室温铁磁性。 当居里温度⩾550K时，随着Fe浓度的增加，饱和磁化强度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38699726

  1. 基于Al

  2. 提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力，改善半导体激光器的工作特性，一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理，采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射生成不同内应力的Al

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38628990

  1. 铁电半导体碘硫化锑量子点复合材料及其光学性能的研究

  2. 用溶胶-凝胶法成功地制备了铁电半导体碘硫化锑(SbSI)微晶掺杂有机改性的TiO2薄膜及块状凝胶.铁电SbSI晶体在C轴具有非常大的介电常数,非常高的电-光系数,较大的光电导系数,同时又是一种本征半导体材料.将SbSI掺杂到非晶态的基质中,通过热处理及气氛保护的方法控制微晶的生长.通过X射线衍射光谱与高分辨透射电子显微镜观察到微晶的存在以及晶体尺寸和分布情况.使用简并的四波混频的方法测得了薄膜样品的三阶非线性极化率,并在块状样品中发现了复合材料中存在的电控双折射效应,测得样品的有效电光系数为2.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：357376
    • 提供者：weixin_38518376

  1. 不同热处理的GeTe薄膜的光学参数测量

  2. 运用一种新的测量单面镀膜膜层光学参数的方法, 对不同热处理的GeTe半导体薄膜样品的光学参数进行了测量, 准确地获得了被测薄膜材料的光学参数, 并采用椭圆偏振光谱测量作比较研究。 以此为基础, 对用椭偏仪测得的数据进行拟合计算, 得出了样品材料在250～830 nm波段范围的复折射率曲线。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38714653

  1. 研制薄膜光学与半导体工艺相结合的新型光电装置

  2. 澳大利亚电信研究人员正研究一类薄膜光学与半导体工艺结合的光电装置，适用于两维列阵集成的面激光器以及波分复用调制器滤波器之类的装置都可以装入AlGaAs和InGaAsP等Ⅲ-Ⅴ型半导体系统中。新设计采用薄膜光学干涉原理和这类材料的半导体和光学特性，即光学增益以及随注入载流子密度或施加电场而产生的折射率变化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：660480
    • 提供者：weixin_38714641

  1. 蒸发方法对Pb

  2. 碲锗铅（Pb1-xGexTe）是IV-VI族窄禁带半导体材料PbTe与GeTe的赝二元合金固溶体，是一种具有优势且机械强度高的高折射率光学薄膜材料。采用电子束蒸发和电阻蒸发两种方法在硅基片沉积了Pb1-xGexTe薄膜，使用扫描电镜和能量散射X射线分析仪表征薄膜表面形貌和化学组分，测量了薄膜在2.5~12 μm 的透射谱。相对于电阻蒸发，分析表明电子束蒸发的膜层中Ge含量更接近于源材料中的Ge含量，薄膜具有较大的晶粒尺寸，同时也具有较高的折射率和消光系数。因此，电子束蒸发具有保持复杂半导体材料化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38628552

  1. 热光伏系统中ITO薄膜滤波器的设计与制备

  2. 氧化铟锡(ITO)半导体薄膜为典型的宽禁带半导体材料，具有短波高透射、长波高反射以及超宽的反射带等特性，满足热光伏(TPV)系统对滤波器的要求。以载流子浓度N和迁移率μ以及膜层厚度d为参数，对ITO薄膜的光学性质进行了仿真，给出了在不同参数下滤波器的光谱曲线。通过磁控溅射薄膜沉积系统制备了ITO薄膜，对退火处理后的滤波器进行了光学性能测试，最终得到可用于热光伏系统的ITO薄膜滤波器。制备的与GaSb电池匹配的滤波器截止波长为2 μm，短波平均透射率接近70%，长波平均反射率接近70%，而且超宽的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38752282

  1. 电子束蒸镀H4膜工艺及其在808 nm激光器腔面膜上的应用

  2. 采用离子辅助电子束蒸镀H4(H4是两种激光损伤阈值较高的材料氧化钛和氧化镧化合而成，分子式LaTiO3)薄膜。研究了氧气压力和基底温度对薄膜的光学性能的影响。实验发现，随着基底温度升高，H4膜的折射率n明显增加, 基底温度为100 ℃时，n808 nm=2.14；随着氧气压力的降低，H4膜的消光系数k变化很小，氧气压力为2.67×10-2 Pa时，在400 nm以上波段几乎没有吸收，k400 nm=2×10-4。将优化的工艺参数用于808 nm激光器腔面高反射膜的镀制，并与采用氧化钛作为高反射膜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38720256

  1. 概述LED芯片生产过程与MOCVD知识

  2. LED外延片（外延片） 　　LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法。 　　MOCVD 　　金属有机物化学气相淀（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38746926