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  1. ev_pwmDSP2812的时间管理器EVA和EVB

  2. DSP2812的时间管理器EVA和EVB,该程序可实现输出不同占空比和带有死区控制,适用于IGBT全桥驱动
  3. 所属分类:C#

    • 发布日期:2013-05-30
    • 文件大小:209920
    • 提供者:u010431522
  1. TI 6.6kw车载充电器设计参考指南

  2. 此参考设计介绍了适用于车载充电器的 6.6kW 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 解决方案。功率级由 C2000™微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器 实现碳化硅 (SiC) MOSFET 的驱动。此设计采用了三相 交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行,在 240V 输 入电压和 6.6kW 全功率下可实现 98.60% 的效率。 C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制,从而 改善轻载条件下的功率因数。栅极驱动器板(参见 TIDA-01605
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2018-11-20
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:qq_33281587
  1. 死区时间对移相全桥电路ZVS实现的影响.pdf

  2. 死区时间对移相全桥电路ZVS实现的影响pdf,死区时间对移相全桥电路ZVS实现的影响
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-12
    • 文件大小:148480
    • 提供者:weixin_38743481
  1. 实现高功率密度的工业电源.pdf

  2. 实现高功率密度的工业电源pdf,工业电源必须满足一些特殊的要求,如低能耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性,以及其他在普通电源中不常见的特性。的电阻/电容网络可对输入电压进行样。电感之后是带栅板保护电路的 电源开关,PFC整流器为 StealthTM二极管。接下来使用一个电阻分压 器来感测和调节PFC级的输出电压,反馈回路至此结束。总线电容也如 图2所示,而二极管D1是一个额外的保护器件。 图2PFC级的原理小意图 这里采用的控制器是FAN4810,该器件包含了先进的半均电流“升 压”型功率因薮校
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743481
  1. 基于MATLAB的三相桥式PWM逆变电路设计.pdf

  2. 基于MATLAB的三相桥式PWM逆变电路设计pdf,在现有的正弦波输出变压变频电源产品中,为了得到SPWM波,一般都采用双极性调制技术。该调制方法的最大缺点是它的6个功率管都工作在较高频率(载波频率),从而产生了较大的开关损耗,开关频率越高,损耗越大。本实验针对正弦波输出变压变频电源SPWM调制方式及数字化控制策略进行了研究,以SG3525为主控芯片,以期得到一种较理想的调制方法,实现逆变电源变压、变频输出。三相桥式SPWM逆变电路设计 摘要: 随着电力电子技术的飞速发展,正弦波输出变压变频电源
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38744375
  1. 48V_30A移相全桥ZVSDC_DC变换器的设计.pdf

  2. 48V_30A移相全桥ZVSDC_DC变换器的设计pdf,48V_30A移相全桥ZVSDC_DC变换器的设计一般要求输出滤波电感电流的最大脉动量厂是最大输出电流的10%,即在输出满载电流10%条件下, 输出电感电流应连续。因此:Ⅰ、=30+0.1×30=33(A)。 由于次级绕组带中心抽头,故次级绕组电流有效值为:0.707*33=23.3(A) 那么次级绕组裸线面积: A=5=6.67(mm) (4).考虑到趋附效应的影响,选用的导线为多股漆包线并绕,f,=100HZ时趋附深度:Δ=0.21(
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743602
  1. 软开关技术-移相全桥ZVS软开关电路分析.pdf.pdf

  2. 软开关技术-移相全桥ZVS软开关电路分析.pdfpdf,软开关技术-移相全桥ZVS软开关电路分析.pdfg4 Vn :: 0 ti 器主要波形如左图所示 UsQ IK 桥变换 Lu s 在不同开关状态下的等效电路如下所示: OvD B 4k L, D (a)to时刻 b)[e3,1] + R )[t1,t21 图82各种开关模态的等然电([2,l 4 g 尺 R (e)[E3,f] (0)[r43] R (g)【ts,6 对于变换器各工作状态的描述如下: 1.开关模态0 在t0时刻,Q1和
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38744207
  1. 高效数控开关电源——中文.pdf

  2. 高效数控开关电源——中文pdf,三、软开关技术介绍 开关器件在开或关时都不是瞬时完成的。如果让开关管在每次的 开或关之前使电压或电流为零,这样在过渡时期的损耗P=U*O=0或 P=0*I=0,这就是软开关的基本含义。根据开关过程的电压或电流为零 分别称为零电压开关(ZVS)或零电流开关(ZCS,在全桥开关电源中若 是有一个桥臂为零电压开关而另一桥臂为零电流开关的就称为零电 压零电流开关 ZVZCS) 四、数控开关电源的设计方案 对于本开关电源的控制,选用MC51单片机作为控制芯片 89℃51。按
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38744270
  1. (已压缩)逆变电源.pdf

  2. 本文档主要介绍SPWM波调制技术,包括单极性正弦脉冲调制,双极性正弦脉冲调制,三相正弦脉冲调制,并对SPWM控制信号的形成方法做了介绍SPWM波调制技术 通过改变SPWM脉冲的宽度可以改变 输出电压的幅值,调节电路的调制周期则 可以改变输出电压的频率,方便对负载进 行控制。 1.单极性正弦脉宽调制 单极性正弦脉宽调制是以一个宽度正弦规律变化的正弦脉冲序列对应 交流输出波形的正半周,再以一个宽度按正弦规率变换的负脉冲序列对应 交流输出波形的负半周,这两个脉冲序列交替作用,控制开关器件产生近 似于正
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2019-06-30
    • 文件大小:522240
    • 提供者:weixin_42373620
  1. lc串联谐振电源主电路框图

  2. 串联谐振逆变电源凭借起动容易、易高频化的优点在高频逆变领域得到广泛应用。 全桥串联逆变电路工作工程中如果上下桥臂同时导通,则器件瞬间损坏,为了防止这一事件的发生,而加入一定的死区时间。 死区时间如果很大,则占空比就会降低,影响电源的效率,若......
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-18
    • 文件大小:53248
    • 提供者:weixin_38700779
  1. 基于TMS320LF2407的SVPWM死区的研究

  2. 对于三相全桥式变流电路,由于功率开关管的非理想开关特性,同桥臂的两开关管容易发生短路故障。为解决这一问题,通常的办法是加入一个死区时间,即在一只开关管关断后隔一段时间再开通另一只开关管。如果提
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:68608
    • 提供者:weixin_38663443
  1. 汽车电子中的基于LPC2132的双驱电动车控制系统设计(二)

  2. 3.2 全桥驱动电路的逻辑控制电路   换相控制逻辑包括根据当前转子的位置控制电桥上下桥臂,正确给出绕组通电;通过对绕组通电的时间比例控制速度;对电桥实施死区保护,防止烧毁MOSFET和驱动电路.所以设计的逻辑控制电路具有以下特点:采用逻辑门电路与RC延时电路,避免了控制时出现死区;另外增加了电机绕组续流功能,保护了控制管.两个电机的电桥逻辑控制电路一样,这里给出了其中一路,如图5所示.   3.3 霍尔位置传感器接口电路   无刷电机内置的三个位置传感器(霍尔)采用5V电源供电,由于
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:249856
    • 提供者:weixin_38590996
  1. 电源技术中的全面解析TL494脉宽调制控制电路

  2. TL494是一种基于固定频率脉宽调制的电路,包含开关电源控制的全部功能,广泛应用于单端正激双管式、半桥式及全桥式等开关电源。TL494有SO-16和PDIP-16两种封装形式用以适应不同场合的要求。TL494内置线性锯齿波振荡器,振荡频率通过外部的一个电阻和一个电容进行调节,其振荡频率如下:   输出脉冲的宽度是通过电容CT上的正极性锯齿波电压与另外两个控制信号进行比较来实现。功率输出管Q1和Q2受控于或非门。当双稳触发器的时钟信号为低电平时才会被选通,即只有在锯齿波电压大于控制信号期间才
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:212992
    • 提供者:weixin_38668243
  1. 电力开关中不可缺少的死区时间发生电路

  2. 在驱动电动机等的电力开关电路中,采用半桥式及全桥式电路时,必须要注意图1所示的实现推挽动作的设各的断开时间tdOFF的存在。如果推挽动作中的开关元件同时处于ON状态,会出现短路现象,引起设备烧损。所以在使用IGBT时,应设计数μs的空区(死区时间:DT)。   图1 推挽大功率开关电路中,为防止同时开关,各个驱动上应具有死区时间   图2是由时钟振荡电路的输出产生推挽用输出信号的电,该电路可使OUT1、OUT2的DT部分分离。这种电路的特征   图2 死区时间死区时间发生电路  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-17
    • 文件大小:130048
    • 提供者:weixin_38691055
  1. 电源技术中的IR最近推出新型的600V全集成保护式镇流器

  2. 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR),最近推出新型的600V全集成保护式镇流器控制IC。它具有动态功率因数校正(Power Factor Correction,简称PFC)功能,适用于先进线性荧光灯镇流器。   最新的IRS2166D把PFC、镇流器控制和半桥式驱动器集成在紧凑的单片式IC中。其PFC电路以临界传导模式工作,功率因数高达0.99,总谐波失真(THD)低于10%,而且具备容差为2.5%的精确的DC总线调节功能。器件中有很多保护功能都可进行编程,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-29
    • 文件大小:46080
    • 提供者:weixin_38747233
  1. 电源技术中的改进型全桥移相ZVS-PWMDC/DC变换器

  2. 摘要:介绍了一种能在全负载范围内实现零电压开关的改进型全桥移相ZVS-PWMDC/DC变换器。在分析其开关过程的基础上,得出了实现全负载范围内零电压开关的条件,并将其应用于一台48V/6V的DC/DC变换器。 关键词:全桥DC/DC变换器;零电压开关;死区时间引言移相控制的全桥PWM变换器是在中大功率DC/DC变换电路中最常用的电路拓扑形式之一。移相PWM控制方式利用开关管的结电容和高频变压器的漏电感作为谐振元件,使开关管达到零电压开通和关断。从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声,减
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-10
    • 文件大小:88064
    • 提供者:weixin_38609453
  1. 电源技术中的IPM死区时间调整硬件解决方案

  2. 作者Email: gouyujiesina.com 摘要:针对不同厂家IPM要求的死区时间参数的不同,本文从硬件电路角度出发,提出一种延时电路方案,解决了因参数调整而引起软件的不统一问题,进而为MCU的大批量mask降低成本提供可能。 关键词: IPM 死区时间 随着现代电力电子技术的飞速发展,以绝缘栅双晶体管(IGBT)为代表的功率器件在越来越多的场合得到广泛地应用。IGBT是VDMOS与双极晶体管的组合器件,集MOSFET与GTR的优点于一身,既具有输入阻抗高,开
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-10
    • 文件大小:81920
    • 提供者:weixin_38543293
  1.  基于串联谐振的高频逆变电源设计

  2. 串联高频逆变电源的逆变桥一定要遵守先关断后导通的原则,即上下桥臂存在一定的死区时间。本文基于对全桥逆变换流分析的基础上,以设计最佳死区为目的,最终通过计算得出了使开关器件工作于零电压开关(ZVS)条件时的死区时间,且设计了以CD4046和SG3525为核心的控制电路,给出了谐振网络参数的计算。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-30
    • 文件大小:594944
    • 提供者:weixin_38742291
  1. 基于tl494的开关功率放大器设计

  2. TL494是一种固定频率脉宽调制电路,它包含了开关电源控制所需的全部功能,广泛应用于单端正激双管式、半桥式、全桥式开关 电源。TL494有SO-16和PDIP-16两种封装形式,以适应不同场合的要求。TL494主要特征 集成了全部的脉宽调制电路。 片内置线性锯齿波振荡器,外置振荡元件仅两个(一个电阻和一个电容)。 内置误差放大器。 内止5V参考基准电压源。 可调整死区时间。 内置功率晶体管可提供500mA的驱动能力  随着电子技术的高速发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:245760
    • 提供者:weixin_38618312
  1. 应用于直流配电网的双向全桥直流变换器比较分析

  2. 对电容缓冲式直流变换器采用死区时间移相控制。通过比较分析电容缓冲式直流变换器与非缓冲式直流变换器的开关特征,得出了缓冲电容对高频环节波形特征、功率传输特性以及回流功率特性的影响,并推导了可以统一描述这2种不同拓扑结构的传输功率表达式与功率因数表达式,进而得出两者之间的联系与区别。对缓冲电容的取值进行了理论分析,提出缓冲电容的选取方法。仿真与实验结果表明了理论分析的正确性与控制策略的有效性。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38706045
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