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  1. MOS场效应管及其电路

  2. 1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2．FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自偏压式和分压式两种。 3． FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：smallmuou

  1. multisim12清华大学本科教育所用的例子

  2. 本人亲测，都可以用。自己也是学电子的，所以好的资料就分享出来，希望对你有用。 主要包括： 模拟部分： MD1 1-1 二极管加正向电压 1-2 二极管加反向电压 1-3 IV法测二极管伏安特性 1-4 用万用表检测二极管 1-5 例1.2.1电路 1-6 直流和交流电源同时作用于二极管 1-7 半波整流电路 1-8 全波整流电路 1-9 单向限幅电路 1-10 双向限幅电路 1-11 底部钳位电路 1-12 顶部钳位电路 1-13 振幅解调电路 1-14 振幅调制电路 1-15 稳压二极管稳压

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-03-29
    • 文件大小：39845888
    • 提供者：xmlizzy

  1. ewb multisim 仿真实例电路图全集

  2. 多年收集的ewb和multisim电子电路仿真实例文件，压缩后有50多兆。 文件列表 ├─仿真实验 │ 555.ms10 │ Circuit1.ms10 │ Circuit2.ms10 │ CLOCK.ms10 │ FileList.txt │ 实验2.ms10 │ 实验3-一阶有源低通滤电路.ms10 │ 实验3-减法运算电路.ms10 │ 实验3-反相加法运算电路.ms10 │ 实验3-反相比例运算电路.ms10 │ 实验3-反相积分运算电路.ms10 │ 实验3-微分运算电路.ms10

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-10-21
    • 文件大小：55574528
    • 提供者：freedom366

  1. TI高精度实验室-压摆率 2.pdf.pdf

  2. TI高精度实验室-压摆率 2.pdfpdf,TI高精度实验室-压摆率 2.pdfBody Effect on Slew Rate Gate Drain ource Body P+ N-Well P-Substrate Body Capacitance 20pF 3 TEXAS INSTRUMENTS o Remember from the first slew rate video that each input pin of an op-amp is connected to a transi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 进口芯片替代芯片汇总-MS1112.pdf

  2. 进口芯片替代芯片汇总-MS1112.pdf3瑞盟科技 MS1112 极限参数 参数 符号 参数范围 供电电压 VDD 0 6 V 输入电流 ⅠIN 100mA,瞬间电流 mA 输入电流 LIN l0mA,持续电流 匚模拟输入(A到(ND VIN 0.3-VDD+0.3 SDA,SCL电压到地 V 0.5~6 最大结温 C 工作湿度 40~125 存储温度 Tst 60~150 C 烨接温度 T 300 电气参数 测试条件:-40C到85C,VDD-5V,除非另有说明 参 数 测试条件 最小值 典

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 场效应管的基本放大电路

  2. 和半导体三极管一样，场效应管的电路也有三种接法即共源极电路、共漏极电路和共栅极电路。本文简述场效应管电路的这三种接法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38596413

  1. 共漏极放大电路

  2. 本文主要讲述共漏极放大电路的电压放大倍数、输入电阻及输出电阻。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：17408
    • 提供者：weixin_38723373

  1. 共源极放大电路

  2. 本文简述漏极电流Id与漏源电压和栅源电压的关系及小信号模型分析方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：13312
    • 提供者：weixin_38677585

  1. 74hc244驱动数码管显示电路及程序

  2. 把七或八只发光二极管组合在一个模件上组成了个8字和小数点，用以显示数字。为了减少管脚，把各个发光管的其中同一个极接在一起作为共用点，因此就产生了共阳极和共阴极数码之说。共阳管就是把各个发光管的正极接在一起，而共阴管就刚好相反。见下图： 74hc244驱动数码管显示电路 大部分的逻辑IC的吸收电流要强于输出电流。因此，大家都爱使用共阴极的数码管，因为可选的IC多些。可是这组数码管是共阳的，因此公共端用三级管来驱动。最常用的S9012，首先得计划好电路方式，就采用最常用的动态扫描显示。先搭建

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：119808
    • 提供者：weixin_38691194

  1. 场效应管放大电路的直流偏置电路

  2. 什么是偏置电路晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路。场效应管偏置电路场效应管偏置电路为了使放大电路正常地工作能把输入信号不失真地加以放大，必须有一个合适而稳定的静态工作点为放大电路提供直流电流和直流电压的电路。叫做直流（静态）偏置电路，简称偏置电路由于各种电子电路对偏置电路有不同的要求，所以在实际电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38545517

  1. 元器件应用中的共漏极电路（源极输出器）

  2. 共漏极电路如图所示。该电路中除有源极电阻RS提供的目偏压外，还有由R1和R2组成的分压器为栅极提供的固定栅偏压。共漏极电路的输出与输入同相，可起到阻抗变换器的作用。 共源极电路 共漏极电路 　　共漏极基本放大电路的主要参数可由以下各式确定:　　  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38689922

  1. 元器件应用中的场效应管基本放大电路

  2. 和半导体三极管一样，场效应管的电路也有三种接法，即共源极电路、共漏极电路和共栅极电路。　　1.共源极电路　　共源极电路除有图所示的接法外，还可采用图所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻钝提供的。该电路虽然简单，但RG不易取得过大，否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降，使栅偏压发生变化，造成工作点的偏离。　　共源极基本放大电路的主要参数，可由以下各式确定:　　输入电阻Ri=RG//RGS，因RGS》RG，故                                     

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38627590

  1. 模拟技术中的由JFET和少量元件构建成的LC振荡器

  2. 将JFET 用于不寻常的电路结构中，就可以设计出无源元件很少的简单高频 LC 振荡器。实现放大器级的结构包括一只以共漏方连接的JFET 晶体管（图 1）。　　当JFET工作在饱和区时，漏极电流ID为：　　式中，IDSS为最大饱和电流，VP为夹断电压。你可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅-源电压控制的电流源来构建这只在小信号状态下工作在饱和区的JFET的模型。下列公式确定JFET的小信号跨导：　　栅极电阻 RG提供栅极到地的必要连接。RG的典型值在几兆欧姆范围内，以提供放大器结构所需的高阻抗。电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38625559

  1. 共源JFET放大器分析

  2. 共源JFET放大器使用结型场效应晶体管作为其主要有源器件，提供高输入阻抗特性。晶体管放大器电路（例如共射极放大器）是使用双极晶体管制造的，但是小信号放大器也可以使用场效应晶体管制造。与双极型晶体管相比，这些器件具有输入阻抗极高且噪声输出低的优点，因此非常适合用于输入信号非常小的放大器电路。　　基于结型场效应晶体管或“ JFET”（本教程中为N沟道FET）甚至金属氧化物硅FET或“ MOSFET”为基础的放大电路的设计与双极晶体管电路的原理完全相同用于上一教程中介绍的A类放大器电路。　　首先，需要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：192512
    • 提供者：weixin_38641896