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  1. 标量相关器,希格斯衰变成夸克以及QCD耦合的方案变化

  2. 在这项工作中,研究了标量相关函数Ψ(s)的摄动QCD级数。 除了与希格斯衰变成夸克有关的ImΨ(s)外,QCD应用中还使用了另外两个物理相关因子Ψ''(s)和D L(s),例如夸克质量测定或强子τ衰变。 DL(s)受到较大的高阶校正,并且通过使用大的β0逼近,表明这与u = 1时的虚假的重归零歧义有关。因此,在现象学分析中应避免使用此相关因子 。 此外,事实证明,表达夸克质量因子是有利的,引入该夸克质量因子是为了使标量电流重新归一化组不变,这是根据重新归一化的夸克质量m ^ q $$ {\ w
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-05-01
    • 文件大小:620544
    • 提供者:weixin_38672840
  1. 关于摄动校正因子

  2. 目的:所有当前的剂量学规程都建议使用保护良好的平行板离子室进行电子剂量学。 对于无防护的Markus腔室,给出了能量依赖的注量扰动校正pcav。 范德普拉森(van der Plaetsen)通过比较马库斯(Markus)和NACP腔室的读数来实验确定这种扰动校正,假定这是“无扰动”的。 本研究的目的是基于蒙特卡罗对该实验的重复。 方法:使用蒙特卡罗代码EGSnrc设计四个平行板腔室(Roos,Markus,NACP和Advanced Markus)的详细模型,并将其放置在水模型中。 对于所有腔
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-05
    • 文件大小:829440
    • 提供者:weixin_38625164