提出了一种新型的低比导通电阻（R-on，R-sp）横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），其具有掩埋的改进超结（BISJ）层。超结层埋在漂移区中，P柱分为两个掺杂浓度不同的部分。首先，掩埋的超结层引起多方向辅助的耗尽效应。因此，BISJ LDMOS的漂移区掺杂浓度远高于常规LDMOS。其次，掩埋的超结层提供了大体积的低导通电阻路径。两者都大大降低了R-on，R-sp。第三，由阶梯掺杂的P柱引入的新的电场峰值的电场调制效果改善了击穿电压（BV）。 BISJ LDMOS的BV为300 V，R-on