在常规的基于InGaN的激光二极管的结构中，在p掺杂的区域中，特别是在p掺杂的上波导层中，存在相当大的光吸收损耗。 设计并优化了具有未掺杂InGaN上波导层而不是p掺杂GaN的InGaN基激光二极管的结构。 未掺杂的InGaN层位于AlGaN电子阻挡层和多量子阱的有源区之间，而不是位于AlGaN EBL和AlGaN覆盖层之间。 利用商用软件LASTIP对这种类型的激光二极管的光电特性进行了模拟，发现其光吸收损耗明显降低。 进一步的理论分析表明，未掺杂的InGaN上波导层消除了电子泄漏电流的影响，