具有高正向能力的单片4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管引起了人们的极大兴趣当前用于工业电源应用。 在本文中，我们报告了在掺杂至6×1015cm3的10μm4H-SiC外延层上制造的大面积单片4H-SiC JBS二极管。 有效面积为30 mm2的JBS二极管在5 V的正向电压下具有330A的正向电流，这对应于1100 A / cm2的电流密度。 通过使用最佳的多重浮动保护环（MFGR）终端，对于高达100A的反向电流，也实现了接近1.6kV的接近理想击穿电压，约为理论值的87.2％。