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搜索资源列表

  1. 深入了解内存

  2. 深入了解内存清水反应 Ars technica、Aceshardware、simpletech 等 独家编译原文链接：Ace's Guide to Memory Technology原文作者：Johan De Gelas(johan@aceshardware.com)collected by stonefengDRAM 和SRAM 基础知识RAM 模块基础DRAM 读取过程快页模式内存SDRAM 读取过程分析SDRAM 写入过程Aceshardware 所写的关于SDRAM 基本工作原理的文章

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2007-08-06
    • 文件大小：758784
    • 提供者：winampp

  1. RAM DDR SDRAM FLASH MEMORY ROM 相关知识 多个文件（自己整理）

  2. 包括以下文件： DRAM,SRAM,SDRAM,DDR SDRAM区别.doc FlashGenius.exe NOR和NAND Flash区别.txt RAM.txt ROM、EPROM、EEPROM、FLASH ROM的区别.txt SDRAM, DDR SDRAM,DDR2 SDRAM内存的区别及其注释.doc 闪存（Flash Memory）.txt

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-04-27
    • 文件大小：311296
    • 提供者：guaidage

  1. 深入了解内存（SRAM、DRAM、SDRAM）

  2. 深入了解内存（SRAM、DRAM、SDRAM）.pdf 深入了解内存（SRAM、DRAM、SDRAM）.pdf

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2010-08-10
    • 文件大小：657408
    • 提供者：woochj

  1. 微机接口技术第三章 内存储器

  2. 1．半导体存储器：只读存储器 ROM、随机存储器 RAM（包括静态 SRAM、动态 DRAM）、闪存 Flash Memory。 2．内存的发展：微机使用的各种内存条，包括 FP、EDO、SDRAM、DDR、RDRAM、DDR Ⅱ、DDR 3、QBM 。 3．半导体存储器相关指标：存储元、存储单元、存储体、存储单元地址、存储容量的定义，存储芯片的组成。 4．存储子系统：PC / XT 和 Pentium 存储子系统。

  3. 所属分类：系统安全

    • 发布日期：2011-05-19
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：zhaolong1990ok

  1. 深入了解内存

  2. 深入了解内存清水反应 Ars technica、Aceshardware、simpletech等 独家编译原文链接：Ace's Guide to Memory Technology原文作者：Johan De Gelas(johan@aceshardware.com)collected by stonefengDRAM和SRAM基础知识RAM模块基础DRAM读取过程 快页模式内存SDRAM读取过程分析SDRAM写入过程Aceshardware所写的关于SDRAM基本工作原理的文章

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-06-10
    • 文件大小：980992
    • 提供者：uliag

  1. 深入了解内存(SRAM、DRAM、SDRAM)

  2. RAM 主要的作用就是存储代码和数据供 CPU 在需要的时候调用。但是这些数据并不是像用 袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在 需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。对于 RAM 等存储器来说也是一 样的，虽然存储的都是代表 0 和 1 的代码，但是不同的组合就是不同的数据。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-09-02
    • 文件大小：657408
    • 提供者：jklinqing007

  1. 深入了解内存

  2. 深入了解内存(SRAM、DRAM、SDRAM

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2013-04-13
    • 文件大小：657408
    • 提供者：taosera

  1. SRAM、DRAM、SDRAM 介绍

  2. SRAM、DRAM、SDRAM_介绍 内存作用 区别 优势等介绍很详细的

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2013-05-21
    • 文件大小：142336
    • 提供者：jianke123007

  1. 代码优化:有效使用内存英文版(chm版)

  2. 现在网上流行较多的是中文版,pdf的，不过很不清晰， 所以好不容易找了个英文版的，原汁原味. 本书系统深入地介绍了各种代码优化编程技术。全书分为4章。第1章集中介绍如何确定程序中消耗CPU时钟最多的热点代码，即有关所谓程序剖分技术，以及典型剖分工具的实用知识。第2、3章分别全面介绍RAM子系统与高速缓存子系统的代码优化知识。第4章主要介绍机器代码优化技术。各章在讨论基本原理的同时，详细给出了典型的代码实例，并对优化性能进行了定量的分析。 　　该书特别适合于作为应用程序员及系统程序员的学习与开发

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2008-09-21
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：likefermat

  1. 深入了解内存

  2. 本文用浅显的语言介绍了SRAM、DRAM、SDRAM等内存技术的发展历程，以及内部构造和配置方法。可以让读者对内存有一个深入的认识。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-01-04
    • 文件大小：657408
    • 提供者：liang124liang

  1. EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别

  2. 单片机常用的内存EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-04-03
    • 文件大小：6144
    • 提供者：qq_38750572

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：664576
    • 提供者：fromnewword

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：628736
    • 提供者：maosheng007

  1. 基础电子中的解述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  2. DRAM （动态随机访问存储器）对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。 　　DRAM 　　DRAM较其它内存类型的一个优势是它能够以IC（集成电路）上每个内存单元更少的电路实现。DRAM 的内存单元基于电容器上贮存的电荷。典型的DRAM 单元使用一个电容器及一个或三个FET（场效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：203776
    • 提供者：weixin_38716556

  1. 解述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  2. DRAM （动态随机访问存储器）对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。 　　DRAM 　　DRAM较其它内存类型的一个优势是它能够以IC（集成电路）上每个内存单元更少的电路实现。DRAM 的内存单元基于电容器上贮存的电荷。典型的DRAM 单元使用一个电容器及一个或三个FET（场效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：278528
    • 提供者：weixin_38744153