我们在论文中报道了InAs / GaSb超晶格结构的分子束外延生长过程中InSb界面性能的优化和控制。 首先制备了具有相同结构但生长方法不同，常规分子束外延（MBE）和迁移增强外延（MEE）的用于界面层的样品，并比较了它们的结构，形态和光学性质。 MEE样品在InSb界面层中具有显着更高的As组成和更高的发光效率。 然后制备具有不同InSb界面层厚度的样品。 通过改变界面层的厚度，可以有效地调整晶格失配和光致发光峰值波长。 尽管生长样品的X射线衍射卫星峰线宽和表面粗糙度变化不大，但负晶格失配最小