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  1. 利用附加电感实现高频功率 MOSFET谐振栅极驱动

  2. 目前,在驱动功率MOSFET时,广泛使用的 是传统的硬开关式栅极驱动电路,该类驱动电路 主要有以下缺点:①驱动电路本身的功率损耗较 大,限制了其在高频情况下的应用;②必须具备电 平移动的功能,增加了电路的复杂性;③充放电回 路中的寄生电感会引起电路的振荡,这对电路的 稳定性是不利的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-09-22
    • 文件大小:134144
    • 提供者:sanjue
  1. 基于LC巴伦的伪差分功率放大器设计

  2. 为了在局部热点区域实现系统容量的成倍提升,需要能支持高频、大带宽工作的无线网络基础设施进行超密集组网,采用GaAs HBT工艺设计出适用于5G微基站的4.8~5.0 GHz三级高增益、大输出功率放大器。利用伪差分结构来抑制接地寄生电感的影响,通过片外低损耗LC巴伦完成单端与差分对之间的转换,结合有源自适应偏置网络与RC负反馈电路,并应用宽带匹配与预失真补偿的方法,基于ADS仿真验证了在中心频点4.9 GHz处可实现35.8 dB的功率增益与33.5%的峰值功率附加效率,且工作频带内能输出不低于3
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-15
    • 文件大小:76800
    • 提供者:weixin_38705530