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搜索资源列表

  1. 碳化硅在大功率电力电子器件中的应用.doc

  2. 碳化硅在大功率电力电子器件中的应用doc,功率半导体器件是电力电子技术的关键元件。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件能够承受更高的电压，具有更低的寄生参数（寄生电容、电阻和电感），更小的器件尺寸和更短的响应时间。开关速度的提高不但可以降低系统功率损耗，而且能够允许使用更小的变压器和电容器，大大减小了系统的整体尺寸和质量。而且，碳化硅的耐高温特性大大降低了系统的散热设计，允许使用更小的散热片及风扇，降低散热器体积及功率损耗。因此，碳化硅器件有望从本质上提高电力电子功率转换设备的效率和功率密度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 变频器的工作原理及作用.pdf

  2. 变频器的工作原理及作用pdf,本文介绍了变频器的工作原理，详细介绍了调压、调频、稳压、调速等功能的作用原理。同时详细说明了变频器常遇到的散热问题和使用过程中的注意要点。速度的降低而相对增加,这就导致由于励磁不足,而使电机不能获得足够的旋转 力。为∫补偿这个个足,变频器中需要通过提高电压,来补偿电机速度降低而引 起的电压降。变频器的这个功能叫倣"转矩提升"(*1)。转矩提升功能是提高变 频器的输出电压。然而即使提高很多输出电压,电机转矩并不能和其电流相对应 的提高。因为电机电流包含电机产生的转矩分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）.pdf

  2. 基于UCC3809设计的反激变换器（50W）pdf,UCC3809设计反激变换器（50W）在反激变换器中,变压器实际上是一个多绕组的耦和电感,变压器磁芯提 供耦合及隔离,而电感量给出储能大小,储存在空气隙中的电感的能量如下式 E Lp·(PEAK 2 (2) 此处,E为焦耳,Lp为初级电感,单位为享利。 Ipeak为初级电流,单位安 培。当开关导通时,D1反向偏置,没有电流流过二次绕组,初级绕组中流过斜 率如下式的电流 IN(min)v Rds(on) △t P (3) 此处,V1N(min)与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 基于LPC2377 LPC2378的嵌入式工业控制系统硬件设计指南.pdf

  2. 基于LPC2377 LPC2378的嵌入式工业控制系统硬件设计指南pdf,基于LPC2377 LPC2378的嵌入式工业控制系统硬件设计指南州致远电子有限公司 嵌入式工业控制模块 销售与服务网络(一) 广州周立功单片机发展有限公司 地址:广州市天河北路689号光大银行大厦12楼F4邮编:510630 电话:(0203873091638730917387309723873097638730977 传真:(020)38730925 网址:www.zlgmcu.com 广州专卖店 南京周立功 地址:广

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 大功率LED恒流驱动电路的设计实例

  2. 一般来说，大功率 LED 的功率至少在 1W 以上，目前比较常见的有 1W、3W、5W、 8W 和 10W。恒流驱动和提高 LED 的光学效率是 LED 应用设计的两个关键问题，本文首 先介绍大功率 LED 的应用及其恒流驱动方案的选择指南，然后以美国国家半导体(NS)的 产品为例， 重点讨论如何巧妙应用 LED恒流驱动电路的采样电阻提高大功率 LED的效率， 并给出大功率 LED 驱动器设计与散热设计的注意事项。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-09-27
    • 文件大小：604160
    • 提供者：jimxxx

  1. 简析电源模块热设计注意事项

  2. 高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大。高温会导致电解电容的寿命降低，变压器漆包线的绝缘特性降低，晶体管损坏，材料热老化，焊点脱落等现象。有统计资料表明，电子元件温度每升高2℃，可靠性下降10%。对于电源模块的热设计，它包括两个层面：降低损耗和改善散热条件。一、元器件的损耗损耗是产生热量的直接原因，降低损耗是降低发热的根本。市面上有些厂家把发热元件包在模块内部，使得热量散不出去，这种方法有点自欺欺人。降低内部发热元件的损耗和温升才是硬道理。电源模块热设计的关键器件一般有：MOS管、二极管、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：287744
    • 提供者：weixin_38500444

  1. 机载计算机电源系统的过压保护电路

  2. VICOR电源的DC/DC变换器都是固定输出模式，但为了方便用户，又设置了输出电压调节端。当输出电流较大，传输线路较长时，为弥补线路上的压降，需要将输出电压调高。如某电子组件的＋5V电源就设置一个调压电阻R3，调节原理如图3所示。 图3输出电压调高 调节原理是改变基准电压，若将＋5V调高至5.2V，即调高了4％，因而基准电压2.5V也应调高4％。 2.5(1＋4％）V=2.6V 流经10kΩ电阻的电流为(10kΩ电阻设在模块内部)流经R3的电流也应为10μΑ(4)保护电路的设计 一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38693589

  1. 基础电子中的电源模块热设计分析

  2. 高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大。高温会导致电解电容的寿命降低，变压器漆包线的绝缘特性降低，晶体管损坏，材料热老化，焊点脱落等现象。有统计资料表明，电子元件温度每升高2℃，可靠性下降10%。对于电源模块的热设计，它包括两个层面：降低损耗和改善散热条件。 　　一、元器件的损耗 　　损耗是产生热量的直接原因，降低损耗是降低发热的根本。市面上有些厂家把发热元件包在模块内部，使得热量散不出去，这种方法有点自欺欺人。降低内部发热元件的损耗和温升才是硬道理。 　　电源模块热设计的关键器件一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：132096
    • 提供者：weixin_38681147

  1. 基础电子中的如何评估D类音频功放的动态效率

  2. D类音频功率放大器最大的特色是高效率，高效率的优点是省电及降低发热量。如果功放的效率是90%而芯片的封装可以散热1W,则这个功放可以输出大约10W的功率，这対系统设计提供极大的方便。 　　D类功率放大器的效率可以由不同角度来看。高效率主要原因来自输出功率晶体管低的导通电阻Rds（on），如果导通电阻为0.4欧姆而喇叭阻抗是4欧姆那输出晶体管的效率等于91%.但是功放还有其它消耗，这包括模拟电路的消耗，模拟転数字的混合电路消耗及数字电路的消耗。这些消耗表现在无载静态电流Iq.如果电源电压5V而I

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38693589

  1. 模拟技术中的一种新颖的D类音频功率放大器驱动电路

  2. 1 引言 　　由于集成D类音频功率放大器效率较高，体积相对较小，同时大部分情况下不需要散热片或者只需要很少面积的散热片，大大减小了整体体积，使得它在音频电子产品中成为首选。但由于在D类功放设计中占用相同版图面积的情况下，pMOS管的导通电阻远大于nMOS管的导通电阻，为了减小版图面积，降低D类功率放大器的输出级H桥导通电阻，H桥采用nMOS管。为了使H桥高端和低端的LDNMOS管过驱动电压相等，这就需要外部增加一个额外的高电平电源去驱动H桥高端，因此有必要采用基于电荷泵的电容自举电路产生一个高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38714637

  1. 基础电子中的采样电阻的规格种类

  2. 采样电阻目前规格种类较多，现罗列出来，供大家设计选择： 　　目前采样电阻主要有三类： 　　1 贴片型陶瓷结构： 　　尺寸：0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512/1225 　　阻值：10毫欧到1欧之间 　　精度：1%/5% 　　功率：最大3W 　　温漂：100到600PPM 　　2 贴片型合金结构： 　　尺寸：0805/1206/2010/2512/2817/2728/2725/4527 　　阻值：0.5毫欧到200毫欧 　　功率：最大5W

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：21504
    • 提供者：weixin_38632488

  1. 电源技术中的德州仪器推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET

  2. 导读：近日，德州仪器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。 　　最低导通电阻： 　　两款最新 80V 及 100V NexFET 器件可在不影响高栅极电荷的情况下，通过 TO-220 封装实现业界最低导通电阻，从而可在更

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38619207

  1. Vishay新推螺栓安装版的线边绕制功率电阻EDGS

  2. Vishay 推出新螺栓安装版的线边绕制功率电阻—EDGS。该器件可方便地直接替换竞争方案，具有可靠性高、连续工作电流达85A的特点，可承受5秒钟、10倍于额定功率的短时过载。 　　Vishay Milwaukee EDGS（Vishay Dale Resistors的产品线）采用电阻合金的带状导线，导线卷绕在特殊设计的瓷绝缘子的边缘，绝缘子使各匝导线之间保持适当的间隔，并且与带螺纹的螺栓座绝缘。器件的开放式线圈结构能够有效地散热，易于承受过载和浪涌。EDGS的接头与电阻线焊在一起，实现可靠的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38744557

  1. 使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题

  2. VRM设计师喜欢相对较小的5mm×6mm SO-8封装。但由于这种封装是针对低功耗芯片设计的，因此不具备DPAK的热性能。量产的MOSFET多是SO-8大小的部件，并带有可焊接到PWB上的散热片。这类组件在全球的使用会越来越多，这些封装的热性能通常接近DPAK，而且在采用某些互连技术时，其寄生电阻和电感还可能更小，同时，PWB面积也减小一半。这也是许多电子设计师喜欢采用这种封装的原因。这是一个值得注意的进步；因为，典型的4相VRM 10产品具有一个高压侧MOSFET和两个低压侧MOSFET，总计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：152576
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 功率MOS管RDS(on)负温度系数对负载开关设计的影响

  2. 介绍了功率MOS管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点。分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热不平衡从而形成局部热点的原因。实验结果表明，减小输出电容、提高功率MOS管的散热能力，可以提高系统的可靠性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：242688
    • 提供者：weixin_38610657

  1. 显示/光电技术中的LED驱动设计5大技巧要领

  2. 1、芯片发热 　　这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率mos管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38659374

  1. 模拟技术中的采用限流保护电路的100W功率放大器

  2. 电路的功能 　　有效输出100W的功率放大器多用于音响或超声波等设备。由于本电路全部由分立元件构成，所以设计时自由度比较大，因为射极输出器会因负载短路而造成大短路电流，所以要采用限流保护措施。此外，通过更换输出晶体管或负载电阻也可获得大功率输出。 　　电路工作原理 　　输出晶体管的散热量由允许损耗功率和允许的环境温度TOP确定，如果TOP=80度，则需要有1.8度/W热阻的散热板。 　　由于在两级差动电路中加了互补射极输出器，因此可以向小负载供给大电流。 　　第二级差动

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38720256

  1. Vishay新推螺栓安装版的线边绕制功率电阻EDGS

  2. Vishay 推出新螺栓安装版的线边绕制功率电阻—EDGS。该器件可方便地直接替换竞争方案，具有可靠性高、连续工作电流达85A的特点，可承受5秒钟、10倍于额定功率的短时过载。 　　Vishay Milwaukee EDGS（Vishay Dale Resistors的产品线）采用电阻合金的带状导线，导线卷绕在特殊设计的瓷绝缘子的边缘，绝缘子使各匝导线之间保持适当的间隔，并且与带螺纹的螺栓座绝缘。器件的开放式线圈结构能够有效地散热，易于承受过载和浪涌。EDGS的接头与电阻线焊在一起，实现可靠的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：133120
    • 提供者：weixin_38518006

  1. 采样电阻的规格种类

  2. 采样电阻目前规格种类较多，现罗列出来，供大家设计选择： 　　目前采样电阻主要有三类： 　　1 贴片型陶瓷结构： 　　尺寸：0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512/1225 　　阻值：10毫欧到1欧之间 　　精度：1%/5% 　　功率：3W 　　温漂：100到600PPM 　　2 贴片型合金结构： 　　尺寸：0805/1206/2010/2512/2817/2728/2725/4527 　　阻值：0.5毫欧到200毫欧 　　功率：5W 　　精度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：20480
    • 提供者：weixin_38585666

  1. 功率电阻的散热设计

  2. TO/SOT封装的功率电阻已经被广泛的使用于汽车电子，新能源，电力等场合。相比较传统的线绕电阻，TO/SOT封装的电阻具有小体积和无感的特性。大部分TO/SOT封装的电阻都采用厚膜电阻技术，使用厚膜电阻技术可以做到很高的功率，但是温飘和稳定性一般。为提供更高性能产品，开步电子推出的一种基于薄膜技术的电阻，该电阻采用TO/SOT封装，根据不同的功率采用氧化铝或氮化铝基板，改良了温飘和稳定性，同时也在脉冲能力和额定功率方面较厚膜电阻有一定提高。无论是厚膜技术还是薄膜技术的，在连续高功率下运行时一定要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：343040
    • 提供者：weixin_38665944
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